[发明专利]借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法有效

专利信息
申请号: 201680014452.2 申请日: 2016-03-23
公开(公告)号: CN107438893B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 尼尔斯·贝森;罗兰·斯切尔;马克·霍夫曼;托马斯·卡西尔;丹尼尔·尔尼 申请(专利权)人: 杜伊斯堡-埃森大学
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329;H01L21/34;H01L29/06;H01L29/872;H01L29/20
代理公司: 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 代理人: 李桂玲
地址: 德国埃森*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法。该方法涉及:将半导体‑纳米颗粒粉体(HND)应用和沉积(100)在第一电极(E1)上的步骤,第一电极(E1)设置在衬底(S)上;所述沉积半导体‑纳米颗粒粉体(HND)经激光(L)照射(200)以形成具有底部和圆弧尖端的圆锥体(C1、C2),其中,圆锥体的底部结合至第一电极(E1);将形成的微圆锥体(C1、C2)嵌入(300)在电绝缘聚合物基体(P)中;以及施加(500)第二电极(E2)使圆锥体(C1、C2)的尖端结合至第二电极(E2)。
搜索关键词: 借助 印刷技术 制作 含有 肖特基 二极管 器件 方法
【主权项】:
借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:第一步,将半导体纳米颗粒粉体(HND)沉积(100)在第一电极(E1)上,所述第一电极(E1)设置在衬底(S)上,第二步,使用激光(L)对沉积的所述半导体纳米颗粒粉体(HND)照射(200)形成具有底部和圆弧尖端的圆锥体(C1、C2),其中,所述圆锥体的底部与所述第一电极(E1)结合连接,第三步,将形成的所述圆锥体(C1、C2)嵌入(300)在电绝缘聚合物基体(P)中,第四步,施加(500)第二电极(E2)与所述圆锥体(C1、C2)的圆弧尖端结合。
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