[发明专利]借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法

说明书

本发明涉及一种借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法。该方法涉及：将半导体‑纳米颗粒粉体（HND）应用和沉积（100）在第一电极（E₁）上的步骤，第一电极（E₁）设置在衬底（S）上；所述沉积半导体‑纳米颗粒粉体（HND）经激光（L）照射（200）以形成具有底部和圆弧尖端的圆锥体（C₁、C₂），其中，圆锥体的底部结合至第一电极（E₁）；将形成的微圆锥体（C₁、C₂）嵌入（300）在电绝缘聚合物基体（P）中；以及施加（500）第二电极（E₂）使圆锥体（C₁、C₂）的尖端结合至第二电极（E₂）。

技术领域

本发明涉及一种借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法。

背景技术

对于许多电子应用，易于生产的电路是令人期望的。生产成本至关重要。

用于制造这种电路的现有技术已经使得能够生产许多不同的结构。

因此，例如，能够在薄膜有机和无机大面积电子（TOLAE）技术的帮助下生产电路，但这些结构就其高频性能而言通常不足，因而通常不能在高频下进行使用。例如，这是由于需要使工艺温度保持相对较低，例如，以便获得机械上衬底，并且因此与具有高结晶度的经典半导体衬底或者材料相比，该半导体薄膜的结构/电子质量较差。

尤其，迄今为止，具有与典型二极管特性相对应的超过20 MHz的高频性能的薄膜肖特基二极管的合算生产仍极其困难。

发明内容

鉴于上述情况，本发明为解决上述问题而提供一种制作具有肖特基二极管器件的方法，其使得能够按照合算方式制作具有对应高频性能的器件。

该问题是由根据权利要求1的方法来解决。其它有利实施例具体地是从属权利要求的主题。此外，该问题也是由根据权利要求3的器件来解决，该器件是由所述方法所制作的。

附图说明

下面将参照附图对本发明进行解释：

图1示出了根据本发明的实施例的样本器件的示意截面图；

图2示出了与图1的示意截面图相对应的一种可实现的等效电路；

图3示出了与根据本发明的实施例的微圆锥体（mu-cone）相对应的一种可实现的等效电路；

图4示出了根据本发明实施例不同工作步骤的一个样品概览。

下文参照特定附图标记，这些附图标记通常意在等同地应用至所有图示，除非另外指明。

此外，在附图中使用影线标记或者其它图解法时，除非另外指明，否则相同的或者等效的元件由相同的影线标记或者图解法来表示。

具体实施方式

按照本发明的方法，是借助印刷技术来生产肖特基二极管。

这使用到衬底S，例如，如在图4中示出的。可选地，可以取决于其在与随后应用的电极E₁粘合上的性质，提前在步骤50中为衬底S设置粘合层。这种技术在现有技术中是已知的并且可以涉及，例如，热稳定聚合物衬底的层压。然而，可替代地，步骤50也可以用于应用作为独立式衬底的聚合物衬底，其可以在根据本发明的加工之后从载体衬底S上被剥离，例如，以便容许机械上的柔性电路。

接着，在又一步骤75中，可以借助已知的技术来生成电极E₁。例如，这种技术是采用印刷和/或PVD（物理气相沉积）。电极E₁可以借助掩膜M₁或者其后借助平板印刷术来形成。然后可以对这样获得的半成品零件进行进一步加工。