[发明专利]借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法

权利要求书

1.借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

第一步，将半导体纳米颗粒粉体（HND）沉积（100）在第一电极（E₁）上，所述第一电极（E₁）设置在衬底（S）上，

第二步，使用激光（L）对沉积的所述半导体纳米颗粒粉体（HND）照射（200）形成具有底部和圆弧尖端的圆锥体（C₁、C₂），其中，所述圆锥体的底部与所述第一电极（E₁）结合连接，

第三步，将形成的所述圆锥体（C₁、C₂）嵌入（300）在电绝缘聚合物基体（P）中，

第四步，施加（500）第二电极（E₂）与所述圆锥体（C₁、C₂）的圆弧尖端结合；

其中的沉积是刮片、丝网方法、喷墨印刷、旋转涂层或者将粉体倾倒中的一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述施加（500）第二电极（E₂）之前，首先采用控制蚀刻（400）的方法将所述圆锥体（C₁、C₂）的圆弧尖端暴露出来。

3.一种含有肖特基二极管的器件，其特征在于，所述器件是由权利要求1所述方法制作含有肖特基二极管的器件，所述器件包括：

至少一个具有底部和圆弧尖端的圆锥体（C₁；C₂），所述圆锥体（C₁；C₂）是半导体材料，

其中，所述圆锥体（C₁；C₂）嵌入在电绝缘聚合物基体（P）中，所述圆锥体（C₁；C₂）的底部与第一电极（E₁）结合连接，所述圆锥体（C₁；C₂）的圆弧尖端与第二电极（E₂）结合连接，

其中，如果所述第一电极（E₁）和所述第二电极（E₂）中任意一个与所述圆锥体（C₁；C₂）一起作为肖特基结（SC），则另一电极（E₂；E₁）将作为电阻结（OC）。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于：所述半导体是p型掺杂半导体。

5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于：所述半导体是n型掺杂半导体。

6.根据权利要求3所述的器件，其特征在于：所述半导体是无掺杂半导体。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的器件，其特征在于：所述半导体是包含Si或Se或Ge或者Ⅲ-Ⅴ族化合物的半导体。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于：所述聚合物基体（P）是丙烯酸酯、聚氨酯、聚硅酮或者环氧树脂中的至少一个，或者是聚酰亚胺、聚碳酸酯、和/或聚丙烯酸酯。

9.根据权利要求3所述的器件，其特征在于：方法中所述衬底（S）是柔性衬底。