[发明专利]使用自组装单层的选择性电介质沉积的方法在审
| 申请号： | 201680011976.6 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN107406977A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 塔帕什·查克拉博蒂;普莉娜·古拉迪雅;罗伯特·简·维瑟 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/40;C23C16/505;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了使用自组装单层(self‑assembled monolayer；SAM)的选择性电介质沉积的方法。一种在具有暴露的硅表面和暴露的含硅表面的基板顶上选择性沉积低k电介质层的方法，包括(a)在暴露的含硅表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层，其中基于有机硅烷的自组装单层在大于约300摄氏度的第一温度下是热稳定的；以及(b)在基板的暴露的硅表面顶上选择性地沉积低k电介质层，其中基于有机硅烷的自组装单层抑制低k电介质层沉积在含硅表面顶上。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 组装 单层 选择性 电介质 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种在具有暴露的硅表面和暴露的含硅表面的基板顶上选择性沉积低k电介质层的方法，包括：(a)在所述暴露的含硅表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层，其中所述基于有机硅烷的自组装单层在大于约300摄氏度的第一温度下是热稳定的；以及(b)在所述基板的所述暴露的硅表面顶上选择性地沉积低k电介质层，其中所述基于有机硅烷的自组装单层抑制所述低k电介质层沉积在所述含硅表面顶上。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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