[发明专利]使用自组装单层的选择性电介质沉积的方法

权利要求书

1.一种在具有暴露的硅表面和暴露的含硅表面的基板顶上选择性沉积低k电介质层的方法，包括：

(a)在所述暴露的含硅表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层，其中所述基于有机硅烷的自组装单层在大于约300摄氏度的第一温度下是热稳定的；以及

(b)在所述基板的所述暴露的硅表面顶上选择性地沉积低k电介质层，其中所述基于有机硅烷的自组装单层抑制所述低k电介质层沉积在所述含硅表面顶上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度为约300摄氏度至约500摄氏度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅表面包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中生长所述基于有机硅烷的自组装单层包括将所述基板暴露于包含有机硅烷和溶剂的溶液。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述有机硅烷包括C-8至C-30烷基链。

6.根据权利要求4所述的方法，其中在生长所述基于有机硅烷的自组装单层后使用所述溶剂冲洗所述基板。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述溶液包括具有约1毫摩尔至约10毫摩尔的有机硅烷的溶剂。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括将所述基板加热至约500摄氏度至约1000摄氏度的温度以将所述基于有机硅烷的自组装单层去除。

9.一种在具有暴露的金属表面和暴露的含硅表面的基板顶上选择性沉积层的方法，包括：

(a)在所述暴露的金属表面顶上生长第一自组装单层；

(b)在所述暴露的含硅表面顶上生长第二自组装单层，其中所述第二自组装单层是基于有机硅烷的；

(c)将所述基板加热至约200摄氏度至约300摄氏度的温度以将所述第一自组装单层从所述暴露的金属表面顶上去除；

(d)在所述暴露的金属表面顶上选择性地沉积层，其中所述层是低k电介质层或金属层；以及

(e)将所述基板加热至约500摄氏度至约1000摄氏度的温度以将所述第二自组装单层从所述暴露的含硅表面顶上去除。

10.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述第一自组装单层包括将所述基板暴露于包含溶剂和自组装单层前驱物的第一溶液。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述自组装单层前驱物包括C-8至C-30链烷基硫醇、有机膦酸或磺酸。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一溶液包含具有约1毫摩尔至约10毫摩尔的自组装单层前驱物的溶剂。

13.根据权利要求10所述的方法，其中沉积所述第二自组装单层包括将所述基板暴露于包含有机硅烷和溶剂的第二溶液。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述有机硅烷包括C-8至C-30烷基链。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二溶液包含具有约1毫摩尔至约10毫摩尔的有机硅烷的溶剂。