[发明专利]用于制造半导体本体的方法

摘要

一种用于制造半导体本体的方法。提出一种用于制造半导体本体(1)的方法，所述半导体本体具有凹部(10)，所述凹部设有钝化层(8)，所述方法具有如下步骤：在半导体本体(1)上施加结构化的第一掩模层(5)和未结构化的第二掩模层(6)；在第二掩模层(6)中构成至少一个第二掩模开口(60)，并且在半导体本体(1)中构成至少一个凹部(10)，其中凹部(10)与第二掩模开口(60)从第一掩模开口(50)起观察形成侧凹部(13)；将钝化层(8)以未结构化的方式施加在第一掩模层(6)上和施加在凹部(10)的底面(12)和侧面(11)上；将钝化层(8)从第二掩模层(6)和凹部(10)的底面(12)移除，其中钝化层(8)保留在凹部(10)的侧面(11)上。

主权项

一种用于制造半导体本体(1)的方法，所述半导体本体具有凹部(10)，所述凹部设有钝化层(8)，所述方法具有如下步骤：A)提供所述半导体本体(1)，B)在所述半导体本体(1)上施加第一掩模层(5)和第二掩模层(6)，其中将所述第二掩膜层(6)未结构化地施加在所述半导体本体(1)上，并且将所述第一掩模层(5)以结构化为具有至少一个第一掩模开口(50)的方式施加在所述第二掩模层(6)上，C)在所述第一掩模层(5)的所述至少一个掩模开口(50)的区域中，在所述第二掩模层(6)中构成至少一个第二掩模开口(60)并且在所述半导体本体(1)中构成至少一个凹部(10)，其中所述凹部(10)具有侧面(11)和底面(12)，并且所述凹部(10)与所述第二掩模开口(60)从所述第一掩模开口(50)起观察形成侧凹部(13)；D)将钝化层(8)以未结构化的方式施加在所述第二掩模层(6)上和施加在所述至少一个凹部(10)的所述底面(12)和所述侧面(11)上；E)将所述钝化层(8)从所述第二掩模层(6)的背离所述半导体本体(1)的一侧和从所述至少一个凹部(10)的所述底面(12)移除，其中所述钝化层(8)至少部分地保留在所述至少一个凹部(10)的所述侧面(11)上。