[发明专利]用于制造半导体本体的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体本体(1)的方法，所述半导体本体具有至少一个凹部(10)，所述凹部设有钝化层(8)，所述方法具有如下步骤：

A)提供所述半导体本体(1)，

B)在所述半导体本体(1)上施加第一掩模层(5)和第二掩模层(6)，其中将所述第二掩模层(6)未结构化地施加在所述半导体本体(1)上，并且将所述第一掩模层(5)以结构化为具有至少一个第一掩模开口(50)的方式施加在所述第二掩模层(6)上，

C)在所述第一掩模层(5)的所述至少一个掩模开口(50)的区域中，在所述第二掩模层(6)中构成至少一个第二掩模开口(60)并且在所述半导体本体(1)中构成至少一个凹部(10)，其中所述凹部(10)具有侧面(11)和底面(12)，并且所述凹部(10)与所述第二掩模开口(60)从所述第一掩模开口(50)起观察形成侧凹部(13)；

D)将钝化层(8)以未结构化的方式施加在所述第二掩模层(6)上和施加在所述至少一个凹部(10)的所述底面(12)和所述侧面(11)上；

E)将所述钝化层(8)从所述第二掩模层(6)的背离所述半导体本体(1)的一侧和从所述至少一个凹部(10)的所述底面(12)移除，其中所述钝化层(8)至少部分地保留在所述至少一个凹部(10)的所述侧面(11)上，

其中

-在方法步骤B中在所述第一掩模层(5)和所述第二掩模层(6)之间施加刻蚀停止层(9)，

-在方法步骤C中在所述刻蚀停止层(9)中在所述至少一个第一掩模开口(50)的区域中构成至少一个开口(90)，使得所述刻蚀停止层(9)在方法步骤C之后仅保留在所述第二掩模层(6)的背离所述半导体本体(1)的一侧上，和

-所述刻蚀停止层(9)具有氧化铝和/或为了移除所述刻蚀停止层(9)使用磷酸，

或其中

-在方法步骤C和D之间将刻蚀停止层(9)大面积地施加在所述第二掩模层(6)上和施加在所述至少一个凹部(10)的所述底面(12)和所述侧面(11)上，和

-在方法步骤E中，从所述第二掩模层(6)的背离所述半导体本体(1)的一侧和从所述至少一个凹部(10)的所述底面(12)移除所述刻蚀停止层(9)和所述钝化层(8)，

其中所述刻蚀停止层(9)和所述钝化层(8)至少部分地保留在所述至少一个凹部(10)的所述侧面(11)上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二掩模层(6)在方法步骤E之后保留在所述半导体本体(1)上并且连同所述钝化层(8)一起形成连贯的绝缘层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述方法步骤D之前移除所述第一掩模层(5)。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中在方法步骤C中借助于共同的刻蚀方法构成所述至少一个第二掩模开口(60)和所述至少一个凹部(10)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述共同的刻蚀方法是湿化学刻蚀方法。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中在方法步骤C中借助于第一刻蚀方法构成所述至少一个第二掩模开口(60)，并且借助于至少一个第二刻蚀方法构成所述至少一个凹部(10)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一刻蚀方法是干化学刻蚀方法，并且所述第二刻蚀方法是湿化学刻蚀方法。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述半导体本体(1)作为具有彼此叠加设置的半导体层(2，3，4)的半导体层序列，并且所述第一掩模层(5)施加在所述半导体层序列的主表面上。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中在方法步骤E中借助于定向的背面刻蚀方法(99)移除所述钝化层(8)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述定向的背面刻蚀方法(99)是干化学刻蚀方法。