[发明专利]用于制造半导体本体的方法

说明书

一种用于制造半导体本体的方法。提出一种用于制造半导体本体(1)的方法，所述半导体本体具有凹部(10)，所述凹部设有钝化层(8)，所述方法具有如下步骤：在半导体本体(1)上施加结构化的第一掩模层(5)和未结构化的第二掩模层(6)；在第二掩模层(6)中构成至少一个第二掩模开口(60)，并且在半导体本体(1)中构成至少一个凹部(10)，其中凹部(10)与第二掩模开口(60)从第一掩模开口(50)起观察形成侧凹部(13)；将钝化层(8)以未结构化的方式施加在第一掩模层(6)上和施加在凹部(10)的底面(12)和侧面(11)上；将钝化层(8)从第二掩模层(6)和凹部(10)的底面(12)移除，其中钝化层(8)保留在凹部(10)的侧面(11)上。

技术领域

提出一种用于制造具有凹部的半导体本体的方法。

本专利申请要求德国专利申请10 2015 102 378.4的优先权，其公开内容通过参引的方式并入本文。

背景技术

为了接触半导体层序列的用一个或多个另外的半导体层覆盖的半导体层，能够应用一个或多个过孔、即所谓的Vias，所述过孔穿过覆盖的半导体层伸展至要接触的半导体层。在这种情况下，其通常为呈盲孔形式的、半导体层序列中的开口，所述开口穿过半导体层序列的一部分并且用导电材料填充。为了避免过孔使所穿过的半导体层短路，通常，开口的侧壁设有电绝缘层，使得过孔在半导体层序列之内仅与要接触的半导体层电接触，其中过孔设置在所述开口中。

因此，为了制造过孔，一方面在半导体层序列中需制造开口。另一方面，开口的侧壁需设有电绝缘层，其中开口的露出要接触的半导体层的部分必须至少部分地不具有电绝缘层。这两个步骤通常在现有技术中在应用光刻胶掩模的情况下借助两个分开的光敏面来执行。这表示：将光掩模用于在半导体层序列中制造开口，并且此后应用另一光掩模，所述另一光掩模用于将电绝缘层结构化，使得要接触的半导体层的区域中的开口至少部分地不具有电绝缘层。对此，需要极其精确的进而耗费的过程控制，因为第二光掩模需要极其高的精度。

发明内容

特定实施方式的至少一个目的是：提供一种用于制造半导体本体的方法，所述半导体本体具有至少一个设有钝化层的凹部。

所述目的通过一种方法实现。该主题的有利的实施方式和改进形式从下面的说明书和附图中得出。

根据至少一个实施方式，提出一种用于制造半导体本体的方法。特别地，该方法能够为用于制造具有至少一个设有钝化层的凹部的半导体本体的方法。

根据另一实施方式，提供半导体本体。半导体本体能够具有一个或多个半导体层，所述半导体层优选形成半导体层序列，并且所述半导体层能够通过外延生长方法施加在生长衬底上。例如，半导体本体能够为半导体层序列，所述半导体层序列设置用于制造光电子有源半导体芯片，例如发光的或吸收光的半导体芯片。对此，半导体本体能够具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个光电子有源区域，尤其发光的或检测光的区域，所述区域设置在能够具有彼此不同的传导类型的另外的半导体层之间。替选于此，半导体本体也能够为非光电子有源的半导体本体。例如，半导体本体能够设置用于制造电子半导体芯片，例如晶体管或其他的电子器件。半导体本体能够在载体元件上提供，所述载体元件能够是生长衬底或与生长衬底不同的载体衬底。

半导体本体例如能够基于化合物半导体材料体系、尤其III-V族化合物半导体体系，并且具有如下半导体层，所述半导体层具有砷化物-、磷化物-和/或氮化物-化合物半导体材料。替选于此，也能够考虑其他的半导体材料，例如II-VI族化合物半导体材料、基于硅的半导体材料或基于锗的半导体材料。

根据另一实施方式，在半导体本体上施加第一掩模层。特别地，半导体本体能够关于其以一个或多个半导体层形式的制造方面具有生长方向，使得半导体本体在生长方向上在主表面处终止。第一掩模层尤其能够设置于在生长方向上所终止于的主表面上，所述主表面能够垂直于生长方向。