[发明专利]用于非易失性存储器的高电压架构在审
| 申请号： | 201680004568.8 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN107112368A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 波格丹·乔盖斯库;加里·莫斯卡鲁克;维贾伊·拉加万;伊葛·葛兹尼索夫 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L31/113 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 陆建萍,杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种在擦除操作期间擦除存储器设备的非易失性存储器(NVM)单元的方法。擦除包括将第一HV信号(VPOS)应用于共源极线(CSL)。在NVM单元的扇区的NVM单元之间共用CSL。第一HV信号高于电源的最高电压。擦除还包括将第一HV信号应用于局部位线(BL)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 电压 架构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在擦除操作期间，擦除存储器设备的非易失性存储器(NVM)单元，所述擦除包括：将第一HV信号(VPOS)应用于共源极线(CSL)，其中，在NVM单元的扇区的NVM单元之间共用所述CSL，并且其中，所述第一HV信号高于电源的最高电压；以及将所述第一HV信号应用到局部位线(BL)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛普拉斯半导体公司，未经赛普拉斯半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680004568.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：砂浆搅拌机
- 下一篇：一种铅冶炼废弃物制砖混合机
- 同类专利
- 专利分类
