[发明专利]用于非易失性存储器的高电压架构

权利要求书

1.一种方法，包括：

在擦除操作期间，擦除存储器设备的非易失性存储器(NVM)单元，所述擦除包括：

将第一HV信号(VPOS)应用于共源极线(CSL)，其中，在NVM单元的扇区的NVM单元之间共用所述CSL，并且其中，所述第一HV信号高于电源的最高电压；以及

将所述第一HV信号应用到局部位线(BL)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述擦除操作期间擦除所述NVM单元还包括：

将第二HV信号(VNEG)应用于被耦合到所述NVM单元的第一字线(WLS)，其中，所述第二HV信号低于所述存储器设备的接地供应的最低电压；以及

将所述第一HV信号应用到被耦合到所述NVM单元的衬底线(SPW)。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在编程操作期间，对所述存储器设备的NVM单元进行编程，所述编程包括：

将第二HV信号(VNEG)应用于被耦合到所述NVM单元的衬底线(SPW)和第二字线(WL)，其中，所述第二HV信号低于所述存储器设备的接地供应的最低电压；以及

对被耦合到所述NVM单元的所述CSL应用第三HV信号(VNEG3)。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在所述编程操作期间，通过向所述局部位线(BL)应用电压信号来禁止所述NVM单元，其中，所述电压信号在所述电源的电压范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在读取操作期间，通过对第二字线(WL)应用第四HV信号(VBST)来读取所述NVM单元，其中，所述第四HV信号高于所述电源的最高电压。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述NVM单元是电荷俘获存储器单元。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述NVM单元是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储器单元。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述NVM扇区的NVM单元的多个行与NVM单元的多个列之间共用所述CSL。

9.一种系统，包括：

非易失性存储器(NVM)单元，所述非易失性存储器单元被耦合到共源极线(CSL)，其中，在扇区的多个NVM单元之间共用所述CSL；以及

电压控制电路，所述电压控制电路用于在保持安全工作区(SOA)的同时控制用于所述NVM单元的操作的多个高电压(HV)信号，其中，所述多个HV信号高于存储器设备的电源的最高电压或低于接地供应的最低电压。

10.根据权利要求9所述的系统，还包括：

扇区选择电路，所述扇区选择电路被耦合到所述扇区的NVM单元的列，以控制应用于局部位线(BL)的位线电压，所述扇区选择电路包括三个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

11.根据权利要求9所述的系统，还包括：

局部位线(BL)，所述局部位线(BL)被耦合到所述NVM单元；以及

所述电压控制电路用于在擦除操作期间向所述CSL和BL应用第一HV信号(VPOS)以擦除所述NVM单元，其中，所述第一HV信号高于所述电源的最高电压。

12.根据权利要求11所述的系统，还包括：

字线(WL)，所述字线(WL)被耦合到所述NVM单元；以及

所述电压控制电路用于在编程操作期间向所述WL和衬底线(SPW)应用第二高电压(HV)信号(VNEG)，以对所述NVM单元进行编程，其中，所述第一HV信号低于所述存储器设备的接地供应的最低电压。

13.根据权利要求10所述的系统，其中，所述扇区选择电路包括：

第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)，其包括第一栅极、第一阱、第一源极和被耦合到所述BL的第一漏极；

第二nMOSFET，所述第二nMOSFET包括第二栅极、第二阱、第二漏极和被耦合到所述BL的第二源极；以及

P通道金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)，其包括第三栅极、第三阱、第三漏极和被耦合到所述BL的第三源极。