[实用新型]一种刻蚀装置有效
| 申请号： | 201621370656.3 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN206412322U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 周军;党继东;刘东续 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 张海英,林波 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种刻蚀装置。其包括刻蚀槽，刻蚀槽的上游设置有上料端，上料端和刻蚀槽的上部设置有用于输送硅片的滚轮组件，上料端在滚轮组件的上方设置有喷淋管，喷淋管和刻蚀槽之间设置有擀液滚轮，擀液滚轮位于滚轮组件的上方。喷淋管可向硅片喷洒液体，以去除硅片表面的磷硅玻璃，擀液滚轮可将硅片中残留的液体擀走，使得硅片表面成疏水状，保证硅片在经过刻蚀槽时不会翻液，不易造成过刻。本实用新型的刻蚀装置结构简单，无需大规模改装，容易实现，适于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种刻蚀装置，包括刻蚀槽(1)，其特征在于，所述刻蚀槽(1)的上游设置有上料端(2)，所述上料端(2)和所述刻蚀槽(1)的上部设置有用于输送硅片(100)的滚轮组件(3)，所述上料端(2)在所述滚轮组件(3)的上方设置有喷淋管(4)，所述喷淋管(4)和所述刻蚀槽(1)之间设置有擀液滚轮(5)，所述擀液滚轮(5)位于所述滚轮组件(3)的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
