[实用新型]一种刻蚀装置有效
申请号: | 201621370656.3 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN206412322U | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 周军;党继东;刘东续 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种刻蚀装置。
背景技术
光伏发电是利用太阳光能使半导体电子器件有效地吸收太阳光辐射能,并使之转变成电能的直接发电方式。通常所说的太阳光发电就是太阳能光伏发电,亦称太阳能电池发电,其核心部件是太阳能电池片。
现有技术中的晶体硅太阳能电池的制造流程为:表面清洗及织构化、扩散、清洗、刻蚀、去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。该制造技术相对简单、成本较低,适合工业化、自动化生产,因而得到了广泛应用。刻蚀是太阳能电池发电的关键步骤之一,刻蚀的好坏直接影响电池是否漏电以及转化效率的高低。
扩散后的硅片N面有一层磷硅玻璃,其具有亲水性。如图1所示,现有的刻蚀机中,往往会因刻蚀槽中滚轮的水平较差或是刻蚀槽中抽风波动,造成磷硅玻璃将刻蚀液引到硅片的N面上,使得硅片的N面四周被腐蚀掉造成过刻,而过刻的硅片在制作成电池片成品后,电池片漏电严重,且转化效率极大受到影响。为了解决硅片在刻蚀槽中不被过刻和刻不通,现有技术中一般采用更换滚轮结构的方法,或是增加清洗磷硅玻璃的设备,但其增加了太阳能电池片的制造成本。
因此,有必要研发一种可避免刻蚀过程中出现腐蚀过刻现象,且刻蚀效果较好,成本较低的刻蚀装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种刻蚀装置,其可去除硅片表面的磷硅玻璃,同时使得硅片表面成疏水状,保证硅片在经过刻蚀槽时不会翻液,不易造成过刻。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种刻蚀装置,包括刻蚀槽,刻蚀槽的上游设置有上料端,上料端和刻蚀槽的上部设置有用于输送硅片的滚轮组件,上料端在滚轮组件的上方设置有喷淋管,喷淋管和刻蚀槽之间设置有擀液滚轮,擀液滚轮位于滚轮组件的上方。
喷淋管可向硅片喷洒液体,以去除硅片表面的磷硅玻璃,擀液滚轮可将硅片中残留的液体擀走,使得硅片表面成疏水状,保证硅片在经过刻蚀槽时不会翻液,不易造成过刻。
其中,刻蚀槽内设置有挡板组件,挡板组件将刻蚀槽沿水平方向分隔成多个小槽,挡板组件包括至少一对溢流挡板,每对溢流挡板之间均设置有抽风管道。溢流挡板将刻蚀槽分隔成多个小槽,抽风管道设置在一对溢流挡板之间,可将硅片和液体生成的气体从硅片下方抽走,避免该气体腐蚀硅片上表面,破坏PN结。
其中,抽风管道的侧壁沿其长度方向设置有多个通风孔或者设置有长条状开口。
其中,滚轮组件包括多个沿水平方向并排间隔设置的滚轮,刻蚀槽内每隔两个滚轮均设置有一对溢流挡板,一对溢流挡板之间的距离等于相邻的两个滚轮之间的距离。
其中,抽风管道的外径小于相邻的两个滚轮之间的距离。
其中,喷淋管与擀液滚轮之间的水平距离为10~30cm。例如,喷淋管与擀液滚轮之间的水平距离可以为10cm、12cm、14cm、15cm、16cm、18cm、20cm、22cm、24cm、26cm、28cm或30cm。优选地,喷淋管与擀液滚轮之间的水平距离为15cm。
其中,擀液滚轮为海绵滚轮或硬质滚轮,可将硅片表面残留的液体擀走。
其中,喷淋管设置有至少一个喷头,喷头沿其长度方向设置有多个喷孔,可均匀地将液体喷洒到硅片表面。
其中,喷淋管中装有质量浓度为8%~20%的氢氟酸。例如,氢氟酸的质量浓度为8%、10%、12%、14%、16%、18%或20%。
本实用新型的有益效果:喷淋管可向硅片喷洒液体,以去除硅片表面的磷硅玻璃,擀液滚轮可将硅片中残留的液体擀走,使得硅片表面成疏水状,保证硅片在经过刻蚀槽时不会翻液,不易造成过刻。本实用新型的刻蚀装置结构简单,无需大规模改装,容易实现,适于推广应用。
附图说明
图1是现有技术的刻蚀装置的结构示意图。
图2是本实用新型的刻蚀装置的结构示意图。
图3是本实用新型的上料端和刻蚀槽的结构示意图。
图4是本实用新型的喷淋管的结构示意图。
图5是本实用新型的喷头的结构示意图。
图6是本实用新型的抽风管道的结构示意图一。
图7是本实用新型的抽风管道的结构示意图二。
附图标记如下:
1-刻蚀槽;11-溢流挡板;12-抽风管道;121-通风孔;122-长条状开口;2-上料端;3-滚轮组件;4-喷淋管;41-喷头;411-喷孔;5-擀液滚轮;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造