[实用新型]磁场传感设备有效
| 申请号: | 201621322352.X | 申请日: | 2014-04-21 |
| 公开(公告)号: | CN206584931U | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
| 发明(设计)人: | J.基尔科特;R.A.戴维斯 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 李晨,张昱 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种磁场传感设备。依照示例性的实施例,一种MRSD包括下面的半导体设备和磁阻传感器。在一些示例性的实施例中,半导体设备经过大部分标准处理流程处理。在标准处理流程之后,在各个实施例中,可执行平坦化步骤以创建更加平坦的顶部表面。在一些实施例中,磁阻材料(其可由镍铁合金、所谓的坡莫合金制成)被沉积在平坦表面上。互连金属化层也可位于该顶部区域中。磁阻材料可以经由平坦化表面中的接触开口接触半导体设备的最顶部的金属化层。在一些实施例中,磁阻材料可以类似地通过这些接触开口接触最顶部的金属化层。磁阻材料直接位于下面的电路上方。 | ||
| 搜索关键词: | 磁场 传感 设备 | ||
【主权项】:
一种磁场传感设备,其特征在于包括:第一区域,所述第一区域包括位于衬底上的半导体设备;设置在所述第一区域上的第二区域,所述第二区域包括至少两个竖向分开的互连电路径层;和第三区域,所述第三区域设置在所述第二区域上并且包括磁阻材料,所述磁阻材料被设置成与所述第一区域中的半导体设备竖向重叠并且被布置成经由所述第二区域中的互连电路径与所述第一区域中的半导体设备电通信,其中,所述第一和第二区域被第一介电层分隔,并且所述第二和第三区域被第二介电层分隔,其中,所述第一区域和所述第二区域基本没有铁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





