[实用新型]磁场传感设备有效

专利信息
申请号: 201621322352.X 申请日: 2014-04-21
公开(公告)号: CN206584931U 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: J.基尔科特;R.A.戴维斯 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 李晨,张昱
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种磁场传感设备。依照示例性的实施例,一种MRSD包括下面的半导体设备和磁阻传感器。在一些示例性的实施例中,半导体设备经过大部分标准处理流程处理。在标准处理流程之后,在各个实施例中,可执行平坦化步骤以创建更加平坦的顶部表面。在一些实施例中,磁阻材料(其可由镍铁合金、所谓的坡莫合金制成)被沉积在平坦表面上。互连金属化层也可位于该顶部区域中。磁阻材料可以经由平坦化表面中的接触开口接触半导体设备的最顶部的金属化层。在一些实施例中,磁阻材料可以类似地通过这些接触开口接触最顶部的金属化层。磁阻材料直接位于下面的电路上方。
搜索关键词: 磁场 传感 设备
【主权项】:
一种磁场传感设备,其特征在于包括:第一区域,所述第一区域包括位于衬底上的半导体设备;设置在所述第一区域上的第二区域,所述第二区域包括至少两个竖向分开的互连电路径层;和第三区域,所述第三区域设置在所述第二区域上并且包括磁阻材料,所述磁阻材料被设置成与所述第一区域中的半导体设备竖向重叠并且被布置成经由所述第二区域中的互连电路径与所述第一区域中的半导体设备电通信,其中,所述第一和第二区域被第一介电层分隔,并且所述第二和第三区域被第二介电层分隔,其中,所述第一区域和所述第二区域基本没有铁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621322352.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top