[实用新型]磁场传感设备有效

申请号：	201621322352.X	申请日：	2014-04-21
公开（公告）号：	CN206584931U	公开（公告）日：	2017-10-24
发明（设计）人：	J.基尔科特;R.A.戴维斯	申请（专利权）人：	霍尼韦尔国际公司
主分类号：	H01L27/22	分类号：	H01L27/22
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司72001	代理人：	李晨,张昱
地址：	美国新***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	磁场传感设备
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【权利要求书】：

1.一种磁场传感设备，其特征在于包括：

第一区域，所述第一区域包括位于衬底上的半导体设备；

设置在所述第一区域上的第二区域，所述第二区域包括至少两个竖向分开的互连电路径层；和

第三区域，所述第三区域设置在所述第二区域上并且包括磁阻材料，所述磁阻材料被设置成与所述第一区域中的半导体设备竖向重叠并且被布置成经由所述第二区域中的互连电路径与所述第一区域中的半导体设备电通信，其中，所述第一和第二区域被第一介电层分隔，并且所述第二和第三区域被第二介电层分隔，其中，所述第一区域和所述第二区域基本没有铁。

2.如权利要求1所述的磁场传感设备，其特征在于，所述磁阻材料被直接设置在所述第二介电层上，并且所述磁阻材料和所述第一区域中的半导体设备之间的电通信是通过所述第二介电层中的一个或多个过孔实现的，所述一个或多个过孔填充有非磁阻金属材料。

3.一种磁场传感设备，其特征在于包括：

第一区域，所述第一区域包括位于衬底上的半导体设备；

设置在所述第一区域上的第二区域，所述第二区域包括至少两个竖向分开的互连电路径层；和

其中，所述磁阻材料和所述第一区域中的半导体设备之间的电通信是通过所述第二介电层中的一个或多个过孔实现的。

4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第二区域包括至少三个竖向分开的互连电路径层。

5.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第一区域中的半导体设备包括互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管（135）。

6.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第一区域中的半导体设备包括双极晶体管。

7.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第一区域中的半导体设备包括CMOS晶体管和双极晶体管二者。

8.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第三区域的磁阻材料包括坡莫合金材料。

9.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第三区域进一步包括金属层，所述金属层被设置成提供至所述第二区域的最顶部的金属层和至所述第三区域的磁阻材料的电连接。

10.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第三区域的磁阻材料与下面的包括半导体设备的第一区域的超过百分之五十重叠。