[发明专利]半导体封装体及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体封装体及其制造方法，该半导体封装体的制造方法包含：在基底上设置阻流支撑结构，其中基底具有活跃区域以及围绕活跃区域的间隔区域，且阻流支撑结构位于间隔区域中；接续地，在基底的活跃区域上设置晶粒结构；以及，在间隔区域注入铸型化合物，以将阻流支撑结构以及晶粒结构铸型在铸型化合物中。通过在基底上设置阻流支撑结构，部分地阻碍注入的铸型化合物的流动，以改变铸型化合物的流场，使得注入铸型化合物可更容易地完全覆盖基底、设置在基底上的半导体元件以及阻流支撑结构。因此，可提高半导体封装体的合格率。

主权项

1.一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，包含：在基底上设置至少一个阻流支撑结构，其中所述基底具有至少一个活跃区域以及围绕所述活跃区域的至少一个间隔区域，所述间隔区域具有至少一个第一通道及至少一个第二通道，所述第一通道沿平行所述基底的第一方向延伸，所述第二通道沿平行所述基底且相异于所述第一方向的第二方向延伸，与所述第一通道相交，所述阻流支撑结构位于所述第一通道与所述第二通道的相交处，且在所述第一方向及所述第二方向上不与所述活跃区域重叠；在所述基底的至少一个所述活跃区域上设置至少一个晶粒结构；以及沿所述第一方向或所述第二方向在所述间隔区域注入铸型化合物，以将所述阻流支撑结构以及所述晶粒结构铸型在所述铸型化合物中。