[发明专利]半导体封装体及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体封装体及其制造方法，该半导体封装体的制造方法包含：在基底上设置阻流支撑结构，其中基底具有活跃区域以及围绕活跃区域的间隔区域，且阻流支撑结构位于间隔区域中；接续地，在基底的活跃区域上设置晶粒结构；以及，在间隔区域注入铸型化合物，以将阻流支撑结构以及晶粒结构铸型在铸型化合物中。通过在基底上设置阻流支撑结构，部分地阻碍注入的铸型化合物的流动，以改变铸型化合物的流场，使得注入铸型化合物可更容易地完全覆盖基底、设置在基底上的半导体元件以及阻流支撑结构。因此，可提高半导体封装体的合格率。

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装体及其制作方法。

背景技术

应用半导体封装技术，半导体产品可被更密集地形成集成，且在微缩至更小尺寸的情形下提供更佳的执行效能。因此，为了满足不同的半导体封装体的需求，用以形成半导体封装体的方法，像是打线接合工艺、倒晶封装工艺以及晶圆级封装等，也不断的发展。其中有些半导体封装的方法通过将半导体元件铸形至铸形化合物中来形成半导体封装体，使得半导体封装体中的一个或多个半导体元件可受到铸形化合物的保护。然而，在铸形化合物的制造过程中，容易在部分的半导体封装体上产生缺陷。举例来说，当注入铸形化合物用以包覆半导体元件时，可能会有空乏的空间在铸形化合物中被创造，进而在固化后成为铸形化合物的缺陷。而这些在形成过程中具有缺陷的半导体封装体是无法应用的，因此，铸形化合物的缺陷会降低半导体封装体的合格率，并进一步地增加制造半导体封装体的成本。由此可见，上述半导体封装体的制作方法与半导体封装体现有的架构，显然仍存在不便与缺陷，而有待加以进一步改进。为了解决上述问题，相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的方式被发展完成。因此，如何能活跃解决上述问题，实属当前重要研发课题之一，也成为当前相关领域亟需改进的目标。

发明内容

本发明的一目的是有关于一种半导体封装体的制造方法，其通过在基底上设置阻流支撑结构，阻碍注入的铸型化合物的流动，并改变铸型化合物的流场，使得注入铸型化合物可还容易地完全覆盖基底、设置在基底上的半导体元件以及阻流支撑结构。因此，本发明的制造方法可提高半导体封装体的生产率。

根据本发明一个或多个实施方式，提供一种用以半导体封装体的制造方法。该制造方法包含在基底上设置阻流支撑结构，其中基底具有活跃区域以及围绕活跃区域的间隔区域，且阻流支撑结构位于间隔区域中；接续地，在基底的活跃区域上设置晶粒结构；以及，在间隔区域注入铸型化合物，以将阻流支撑结构以及晶粒结构铸型在铸型化合物中。

在本发明一个或多个实施方式中，上述的间隔区域可具有至少一个第一通道。第一通道沿平行基底的第一方向延伸。在基底上设置阻流支撑结构的步骤包含在第一通道上设置阻流支撑结构。在间隔区域注入铸型化合物的步骤包含沿第一方向注入铸形化合物。

在本发明一个或多个实施方式中，上述的间隔区域可还具有至少一个第二通道。第二通道沿平行基底且相异于第一方向的第二方向延伸。第二通道与第一通道相交。在基底上设置阻流支撑结构的步骤包含在第一通道与第二通道的相交处设置阻流支撑结构。

在本发明一个或多个实施方式中，上述的阻流支撑结构具有邻近基底的第一端以及远离基底的第二端。第一端的端面面积大于或等于第二端的端面面积。

在本发明一个或多个实施方式中，在上述的阻流支撑结构中，阻流支撑结构的截面积自第二端逐渐增加到第一端。

在本发明一个或多个实施方式中，在上述的阻流支撑结构中，阻流支撑结构的第一端与第二端之间所连接的表面为平面。

在本发明一个或多个实施方式中，在上述的阻流支撑结构中，阻流支撑结构的第一端与第二端之间所连接的表面为曲面。

在本发明一个或多个实施方式中，上述的阻流支撑结构具有中间部以及多个端部。端部将中间部夹在其中。中间部的截面积小于端部的截面积。在基底上设置阻流支撑结构的步骤包含将端部的其中之一固接到基底上。