[发明专利]半导体封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，包含：

在基底上设置至少一个阻流支撑结构，其中所述基底具有至少一个活跃区域以及围绕所述活跃区域的至少一个间隔区域，所述间隔区域具有至少一个第一通道及至少一个第二通道，所述第一通道沿平行所述基底的第一方向延伸，所述第二通道沿平行所述基底且相异于所述第一方向的第二方向延伸，与所述第一通道相交，所述阻流支撑结构位于所述第一通道与所述第二通道的相交处，且在所述第一方向及所述第二方向上不与所述活跃区域重叠；

在所述基底的至少一个所述活跃区域上设置至少一个晶粒结构；以及

沿所述第一方向或所述第二方向在所述间隔区域注入铸型化合物，以将所述阻流支撑结构以及所述晶粒结构铸型在所述铸型化合物中。

2.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，所述阻流支撑结构具有邻近所述基底的第一端以及远离所述基底的第二端，其中所述第一端的端面面积大于或等于所述第二端的端面面积。

3.如权利要求2所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，在所述阻流支撑结构中，所述阻流支撑结构的截面积自所述第二端逐渐增加到所述第一端。

4.如权利要求2所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，在所述阻流支撑结构中，所述阻流支撑结构的所述第一端与所述第二端之间所连接的表面为平面。

5.如权利要求2所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，在所述阻流支撑结构中，所述阻流支撑结构的所述第一端与所述第二端之间所连接的表面为曲面。

6.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，所述阻流支撑结构具有中间部以及将所述中间部夹在其中的多个端部，所述中间部的截面积小于所述端部的截面积，其中所述在所述基底上设置所述阻流支撑结构的步骤包含将所述多个端部的其中之一固接到所述基底上。

7.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，还包含在注入所述铸型化合物时，逐渐地固化所述铸型化合物。

8.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，所述在所述基底的所述活跃区域上设置所述晶粒结构的步骤包含：

固接至少一个上方层晶粒至下方层晶粒，以形成所述晶粒结构；以及

固接所述下方层晶粒至所述基底的所述活跃区域上。

9.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，还包含在注入所述铸型化合物前，自所述晶粒结构的顶面连接至少一个金属线到所述基底。

10.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，还包含沿平行所述基底的多个预切割线切割所述铸型化合物与所述基底，将所述晶粒结构分别独立，其中所述预切割线在所述基底的投影与至少一个所述阻流支撑结构相重叠。

11.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，还包含在注入所述铸型化合物前，设置平面在所述阻流支撑结构以及所述晶粒结构上方。

12.一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，包含：

在基底上设置多个阻流支撑结构，其中所述基底具有多个活跃区域以及围绕所述多个活跃区域的至少一个间隔区域，所述间隔区域具有多个第一通道及多个第二通道，所述多个第一通道沿平行所述基底的第一方向延伸，所述多个第二通道沿平行所述基底且相异于所述第一方向的第二方向延伸，与所述多个第一通道相交，所述多个阻流支撑结构位于所述多个第一通道与所述第二通道的多个相交处，且在所述第一方向及所述第二方向上不与所述多个活跃区域重叠；

在所述基底的所述多个活跃区域上分别设置多个晶粒结构；以及

沿所述第一方向或所述第二方向在所述间隔区域注入铸型化合物，以将所述多个阻流支撑结构以及所述多个晶粒结构铸型在所述铸型化合物中。