[发明专利]多芯片半导体功率封装体在审
申请号: | 201611256982.6 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN107017239A | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | M·格雷韦;S·马海因尔;A·迈泽尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/48 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 周家新,蔡洪贵 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体封装体包括导电载体;第一层面第一半导体功率器件,具有安装在导电载体的安装表面之上的第一负载电极和相反的第二负载电极。还包括第一层面第二半导体功率器件,具有安装在安装表面之上的第一负载电极和相反的第二负载电极。第一连接夹具有连接至第一层面第一半导体功率器件的第二负载电极的第一表面和相反的安装表面。第二连接夹具有连接至第一层面第二半导体功率器件的第二负载电极的第一表面和相反的安装表面。还包括第二层面第一半导体功率器件,具有安装在第一连接元件的安装表面之上的第一负载电极和相反的第二负载电极;及第二层面第二半导体功率器件,具有安装在第二连接元件的安装表面之上的第一负载电极和相反的第二负载电极。 | ||
搜索关键词: | 芯片 半导体 功率 封装 | ||
【主权项】:
一种具有多层面布置的半导体封装体,包括:具有安装表面的导电载体;第一层面第一半导体功率器件,所述第一层面第一半导体功率器件具有安装在所述导电载体的所述安装表面之上的第一负载电极,并且具有与第一电极相反的第二负载电极;第一层面第二半导体功率器件,所述第一层面第二半导体功率器件具有安装在所述导电载体的所述安装表面之上的第一负载电极,并且具有与第一电极相反的第二负载电极;第一连接夹,所述第一连接夹具有连接至所述第一层面第一半导体功率器件的所述第二负载电极的第一表面,并且具有与所述第一表面相反的安装表面;第二连接夹,所述第二连接夹具有连接至所述第一层面第二半导体功率器件的所述第二负载电极的第一表面,并且具有与所述第一表面相反的安装表面;第二层面第一半导体功率器件,所述第二层面第一半导体功率器件具有安装在第一连接元件的安装表面之上的第一负载电极,并且具有与第一电极相反的第二负载电极;以及第二层面第二半导体功率器件,所述第二层面第二半导体功率器件具有安装在第二连接元件的安装表面之上的第一负载电极,并且具有与第一电极相反的第二负载电极。
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