[发明专利]多芯片半导体功率封装体

权利要求书

1.一种具有多层面布置的半导体封装体，包括：

具有安装表面的导电载体；

第一层面第一半导体功率器件，所述第一层面第一半导体功率器件具有安装在所述导电载体的所述安装表面之上的第一负载电极，并且具有与第一电极相反的第二负载电极；

第一层面第二半导体功率器件，所述第一层面第二半导体功率器件具有安装在所述导电载体的所述安装表面之上的第一负载电极，并且具有与第一电极相反的第二负载电极；

第一连接夹，所述第一连接夹具有连接至所述第一层面第一半导体功率器件的所述第二负载电极的第一表面，并且具有与所述第一表面相反的安装表面；

第二连接夹，所述第二连接夹具有连接至所述第一层面第二半导体功率器件的所述第二负载电极的第一表面，并且具有与所述第一表面相反的安装表面；

第二层面第一半导体功率器件，所述第二层面第一半导体功率器件具有安装在第一连接元件的安装表面之上的第一负载电极，并且具有与第一电极相反的第二负载电极；以及

第二层面第二半导体功率器件，所述第二层面第二半导体功率器件具有安装在第二连接元件的安装表面之上的第一负载电极，并且具有与第一电极相反的第二负载电极。

2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，所述第一层面第一半导体功率器件的所述第一负载电极和所述第一层面第二半导体功率器件的所述第一负载电极是源极或发射极电极。

3.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，所述第一层面第一半导体功率器件的所述第一负载电极和所述第一层面第二半导体功率器件的所述第一负载电极是漏极或集电极电极。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装体，进一步包括：

连接元件，所述连接元件电连接至所述第二层面第一半导体功率器件的所述第二负载电极并且电连接至所述第二层面第二半导体功率器件的所述第二负载电极。

5.根据权利要求4所述的半导体封装体，其中，所述第二层面第一半导体功率器件和所述第二层面第二半导体功率器件成行布置，所述连接元件在与所述行的方向平行的方向上延伸。

6.根据权利要求4所述的半导体封装体，其中，所述第二层面第一半导体功率器件和所述第二层面第二半导体功率器件成行布置，所述连接元件在与所述行的方向垂直的方向上延伸。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体封装体，其中，所述连接元件是夹。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装体，进一步包括：

第一层面第三半导体功率器件，所述第一层面第三半导体功率器件具有安装在所述导电载体的所述安装表面之上的第一负载电极，并且具有与所述第一负载电极相反的第二负载电极。

9.根据权利要求8所述的半导体封装体，进一步包括：

第三连接夹，所述第三连接夹具有连接至所述第一层面第三半导体功率器件的所述第二负载电极的第一表面，并且具有与所述第一表面相反的安装表面。

10.根据权利要求9所述的半导体封装体，进一步包括：

第二层面第三半导体功率器件，所述第二层面第三半导体功率器件具有安装在所述第三连接元件的所述安装表面之上的第一负载电极。

11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装体，其中，每个半导体功率器件均包括背向所述导电载体的栅极电极。

12.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装体，进一步包括：

连接至所述连接夹的第一外部端子，其中，所有第一外部端子都沿所述半导体封装体的第一外周边布置。

13.根据权利要求12所述的半导体封装体，进一步包括：

连接至第二层面半导体功率器件的所述负载电极的一个或者一个以上的第二外部端子，其中，所述一个或者一个以上的第二外部端子沿所述半导体封装体的一个或一个以上的第二外周边布置，所述一个或一个以上的第二外周边取向为垂直于所述第一外周边。

14.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装体，其中，所有栅极电极都沿半导体封装体的第三外周边布置，所述第三外周边与所述第一外周边相反。