[发明专利]一种OLED结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201611256318.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269942B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘星<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201306上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种OLED结构及其制作方法，所述OLED结构包括：基板；形成于所述基板上的阳极电极层，所述阳极电极层包括P型碳纳米管阵列；形成于所述阳极电极层上的有机电致发光单元；形成于所述有机电致发光单元上的阴极电极层，所述阴极电极层包括N型碳纳米管阵列；形成于所述阴极电极层上的钝化层。相对于传统采用ITO阳极与金属阴极的OLED结构，本发明的OLED结构可以在更低电压下操作，且具有更高的OLED单元的密度，可以有效提高OLED结构的发光效率。并且本发明的OLED结构的制作方法中，P型碳纳米管阵列、N型碳纳米管阵列与有机电致发光单元的制作工艺兼容，有利于降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管阵列 有机电致发光单元 阳极电极层 阴极电极层 基板 发光效率 金属阴极 制造成本 制作工艺 低电压 钝化层 制作 兼容 | ||
【主权项】：
1.一种OLED结构，其特征在于，包括：/n基板；/n形成于所述基板上的阳极电极层，所述阳极电极层包括P型碳纳米管阵列；/n形成于所述阳极电极层上的有机电致发光单元；/n形成于所述有机电致发光单元上的阴极电极层，所述阴极电极层包括N型碳纳米管阵列；/n形成于所述阴极电极层上的钝化层；/n其中，所述P型碳纳米管阵列包括若干平行排列的P型碳纳米管单元；所述N型碳纳米管阵列包括若干平行排列的N型碳纳米管单元，且所述P型碳纳米管单元与所述N型碳纳米管单元的排列方向呈预设角度α，0°<α<180°，所述P型碳纳米管单元为单根P型碳纳米管，或为P型碳纳米管束；所述N型碳纳米管单元为单根N型碳纳米管，或为N型碳纳米管束。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611256318.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
