[发明专利]一种OLED结构及其制作方法有效

申请号：	201611256318.1	申请日：	2016-12-30
公开（公告）号：	CN108269942B	公开（公告）日：	2019-11-15
发明（设计）人：	肖德元	申请（专利权）人：	上海新昇半导体科技有限公司
主分类号：	H01L51/52	分类号：	H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00
代理公司：	31219 上海光华专利事务所(普通合伙)	代理人：	刘星<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址：	201306上海市浦东新***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	碳纳米管阵列有机电致发光单元阳极电极层阴极电极层基板发光效率金属阴极制造成本制作工艺低电压钝化层制作兼容
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种OLED结构，其特征在于，包括：

基板；

形成于所述基板上的阳极电极层，所述阳极电极层包括P型碳纳米管阵列；

形成于所述阳极电极层上的有机电致发光单元；

形成于所述有机电致发光单元上的阴极电极层，所述阴极电极层包括N型碳纳米管阵列；

形成于所述阴极电极层上的钝化层；

其中，所述P型碳纳米管阵列包括若干平行排列的P型碳纳米管单元；所述N型碳纳米管阵列包括若干平行排列的N型碳纳米管单元，且所述P型碳纳米管单元与所述N型碳纳米管单元的排列方向呈预设角度α，0°<α<180°，所述P型碳纳米管单元为单根P型碳纳米管，或为P型碳纳米管束；所述N型碳纳米管单元为单根N型碳纳米管，或为N型碳纳米管束。

2.根据权利要求1所述的OLED结构，其特征在于：所述有机电致发光单元自下而上依次包括有机空穴传输层、有机发光层及有机电子传输层，其中，所述有机空穴传输层与所述P型碳纳米管阵列接触，所述有机电子传输层与所述N型碳纳米管阵列接触。

3.根据权利要求1所述的OLED结构，其特征在于：所述基板与所述阳极电极层之间形成有一绝缘层。

4.根据权利要求3所述的OLED结构，其特征在于：所述绝缘层的材料包括氧化硅。

5.一种OLED结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一基板，在所述基板上形成一绝缘层；

S2：在所述绝缘层上形成P型碳纳米管阵列；

S3：在所述P型碳纳米管阵列上形成有机电致发光单元；

S4：在所述有机电致发光单元上形成N型碳纳米管阵列；

S5：在所述N型碳纳米管阵列上形成钝化层；

6.根据权利要求5所述的OLED结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S2中，首先在所述绝缘层上形成图案化的碳纳米管催化剂图案，然后基于所述碳纳米管催化剂图案在所述绝缘层上形成P型碳纳米管阵列。

7.根据权利要求5所述的OLED结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S4中，首先在所述有机电致发光单元上形成图案化的碳纳米管催化剂图案，然后基于所述碳纳米管催化剂图案在所述有机电致发光单元上形成N型碳纳米管阵列。

8.根据权利要求5所述的OLED结构的制作方法，其特征在于：所述有机电致发光单元自下而上依次包括有机空穴传输层、有机发光层及有机电子传输层。