[发明专利]一种OLED结构及其制作方法

说明书

本发明提供一种OLED结构及其制作方法，所述OLED结构包括：基板；形成于所述基板上的阳极电极层，所述阳极电极层包括P型碳纳米管阵列；形成于所述阳极电极层上的有机电致发光单元；形成于所述有机电致发光单元上的阴极电极层，所述阴极电极层包括N型碳纳米管阵列；形成于所述阴极电极层上的钝化层。相对于传统采用ITO阳极与金属阴极的OLED结构，本发明的OLED结构可以在更低电压下操作，且具有更高的OLED单元的密度，可以有效提高OLED结构的发光效率。并且本发明的OLED结构的制作方法中，P型碳纳米管阵列、N型碳纳米管阵列与有机电致发光单元的制作工艺兼容，有利于降低制造成本。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，涉及一种OLED结构及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由美籍华裔教授邓青云(Ching W.Tang)于1983年在实验室中发现，由此展开了对OLED的研究。OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。

典型的OLED包括两个电极及形成于这两个电极之间的有机电致发光单元(Organic Elecroluminescent，EL)单元。有机EL单元通常包括有机空穴传输层(OrganicHole-Transporting Layer，HTL)、有机发光层(Organic Light-Emitting Layer，LEL)及有机电子传输层(Organic Electron-Transporting Layer，ETL)。其中一个电极为阳极，负责将正电荷(空穴)注入EL单元中的空穴传输层(HTL)，另一个电极为印记，负责将负电荷(电子)注入EL单元中的电子传输层(ETL)。当在OLED两个电极之间加上一定的电势使其正向偏置，从阳极注入的空穴以及从阴极注入的电子可以重新复合，并且从有机发光层(LEL)发光，且发出的光线可通过透明电极被看到。

在OLED的制作工艺中，阳极通常是制作在衬底上，并且阳极的制作过程与OLED其余部分的制作过程是分开的。例如，一种常用的透明电极，例如铟锡氧化物(Indium-Tin-Oxide，ITO)或铟锌氧化物(Indium Zinc-Oxide，IZO)，通过离子溅射技术形成于透明衬底或薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的背板上。然而，所制备的或纯净的ITO由于其相对较低的功函数，不能作为一种有效的阳极。低功函数阳极将形成一个高屏障，使得空穴难以从阳极注入到相邻的有机EL单元，从而导致高驱动电压和低使用寿命。

为了提高OLED的电致发光性能，现有技术中对阳极进行了改性。例如，相对于制作于未处理阳极上的OLED，制作于经过氧气处理阳极上的OLED的电致发光性能有所提升。然而，在实际应用中，这种改进还不够有效。为了进一步提高电致发光性能，在形成有机电致发光单元之前，首先在经过氧气处理或未经氧气处理的阳极层表面形成阳极缓冲层。例如，美国专利US6351067公开了采用薄氧化层作为阳极缓冲层，美国专利US6208075公开了采用等离子体沉积的氟碳聚合物(简称CFx)作为阳极缓冲层。这层阳极缓冲层与阳极顶面接触，可以提高OLED的发光效率和使用寿命。

由于阳极缓冲层是一种典型的高阻介质层，如果阳极表面存在阳极缓冲层，OLED的驱动电压将会对阳极缓冲层的厚度非常敏感。厚阳极缓冲层会导致非常高的驱动电压。实际上，在制作过程中，是非常难以将阳极缓冲层的厚度控制在0.5纳米到约5纳米范围内的。此外，由于阳极缓冲层通常是在非常高的温度下形成的(例如高于800℃)，该阳极缓冲层的制备方法通常不能与有机EL单元兼容，造成较高的制造成本。

显然，上述的阳极修饰过程，包括氧处理或沉积阳极缓冲层，是不可行的或方便制造的。

因此，如何提供一种新的OLED结构及其制作方法，以有效提高OLED的电致发光性能，并降低制造成本，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容