[发明专利]一种笔记本电脑用散热型陶瓷主板有效
申请号: | 201611243574.7 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106774750B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 陈婉莹;陈炬 | 申请(专利权)人: | 浙江工商大学 |
主分类号: | G06F1/20 | 分类号: | G06F1/20;G06F1/18;C04B33/13;C04B33/36;C04B38/06;C04B38/08 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 狄干强 |
地址: | 310000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种笔记本电脑用散热型陶瓷主板,包括一多孔陶瓷基板、粘附在多孔陶瓷基板上表面的环氧树脂层以及粘附在环氧树脂层上表面的金属层,所述多孔陶瓷基板中分布有若干竖向通孔和斜向通孔,其中,竖向通孔贯通多孔陶瓷基板的上下表面,斜向通孔为盲孔,且从多孔陶瓷基板的边缘向多孔陶瓷基板的内部倾斜向上延伸,其开口端位于多孔陶瓷基板的边缘和下表面,所述竖向通孔与斜向通孔相连通,从而在多孔陶瓷基板内形成网状散热通道。本发明的散热基材是以多孔陶瓷基板作为基底,然后在其上设置环氧树脂层和金属层,由于多孔陶瓷基板内密布有网状散热通道,从而大幅度增强了基材的散热性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 笔记本电脑 散热 陶瓷 主板 | ||
【主权项】:
1.一种笔记本电脑用散热型陶瓷主板,其特征在于:包括一多孔陶瓷基板(1)、粘附在多孔陶瓷基板(1)上表面的环氧树脂层(2)以及粘附在环氧树脂层(2)上表面的金属层(3),所述多孔陶瓷基板(1)中分布有若干竖向通孔(101)和斜向通孔(102),其中,竖向通孔(101)贯通多孔陶瓷基板(1)的上下表面,斜向通孔(102)为盲孔,且从多孔陶瓷基板(1)的边缘向多孔陶瓷基板(1)的内部倾斜向上延伸,其开口端位于多孔陶瓷基板(1)的边缘和下表面,所述竖向通孔(101)与斜向通孔(102)相连通,从而在多孔陶瓷基板(1)内形成网状散热通道;所述多孔陶瓷基板(1)由主料、主料重量9‑10%的制孔剂、主料重量6‑7%的外加剂和主料重量17‑18%且直径不超过1mm的铝纤维丝烧制而成,按照重量比,所述主料由22‑24份的陶土、18‑20份的石英砂和10‑12份的氧化铝微粉组成,制孔剂由10‑12份的碳化硅、2‑3份的碳酸钙粉、6‑7份的蓝晶石粉和4‑5份的海泡石绒粉混合而成,外加剂由7‑8份的硼砂、3‑4份的氧化镁、3‑4份的硅藻土、1‑2份的改性硫酸钙晶须和5‑6份的改性硅微粉混合而成,所述改性硫酸钙晶须为市售硫酸钙晶须与其重量3‑5%的表面改性剂Ⅰ混合得到,所述表面改性剂Ⅰ由氯化钡和KH550按照重量比3‑4:30的比例混合而成;所述改性硅微粉是将硅微粉与其重量3‑5%的表面改性剂Ⅱ混合得到,所述表面改性剂Ⅱ由氢氧化钡、碳酸钠和KH550按照重量比3‑4:1‑2:30的比例混合而成;所述多孔陶瓷基板(1)的制作方法,包括以下步骤:1)分别制备改性硫酸钙晶须和改性硅微粉,备用;所述改性硫酸钙晶须为市售硫酸钙晶须与其重量3‑5%的表面改性剂Ⅰ混合得到,所述表面改性剂Ⅰ由氯化钡和KH550按照重量比3‑4:30的比例混合而成;所述改性硅微粉是将硅微粉与其重量3‑5%的表面改性剂Ⅱ混合得到,所述表面改性剂Ⅱ由氢氧化钡、碳酸钠和KH550按照重量比3‑4:1‑2:30的比例混合而成;2)分别称取组成主料和制孔剂的各原料混合并粉磨至细度不超过100微米,从而制得主料粉和制孔剂粉,备用;分别称取组成外加剂的硼砂、氧化镁、硅藻土、步骤1)制得的改性硫酸钙晶须和步骤1)制得的改性硅微粉,然后将硼砂、氧化镁和硅藻土混合后粉磨至粒径不超过200微米,再与改性硫酸钙晶须、改性硅微粉混合均匀,即制得外加剂,备用;称取直径不超过1mm的铝纤维丝,备用;3)将步骤2)制得的主料粉、制孔剂粉和外加剂混合,然后向其中加入主料粉重量30‑35%的拌合液拌合均匀,得到混合湿粉,备用;所述拌合液为甘油、纤维素、木薯淀粉和水按照重量比为3:2:1:5的比例混合而成;4)取步骤2)称取的部分铝纤维丝竖向排布,然后将余下的铝纤维丝倾斜与竖向排布的铝纤维丝固定连接,从而形成由铝纤维丝构成的网络骨架,备用;所述网络骨架中,倾斜排布的铝纤维丝朝向网络骨架外侧的一端位置低于另一端;5)将步骤3)制得的混合湿粉填充到步骤4)制得的网络骨架中并压制成板状坯体,备用;6)将步骤5)制得的板状坯体进行烧结,自然冷却后即得到多孔陶瓷基板(1);所述烧结分为预热段、升温段和焙烧段三部分,其中,预热段是指使炉内温度从常温在3h均匀升高到350℃,并保持该温度1‑2h,在此过程中,保持炉内氧气含量不高于4%;所述升温段是指,使炉内温度从350℃在4h均匀升高到950℃,并保持该温度1‑2h,在此过程中,保持炉内氧气含量不低于45%;所述焙烧段是指,使炉内温度从950℃在2h均匀升高到1750℃,并保持该温度3‑4h,在此过程中,保持炉内氧气含量不低于35%。
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