[发明专利]一种LED外延结构有效
| 申请号： | 201611242381.X | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653964B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘建明;张洁;朱学亮;陈秉扬;张中英;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/20;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、具有V型坑的超晶格层、空穴阻挡层、有源区发光层及第二导电类型半导体层，空穴阻挡层覆盖V型坑，空穴阻挡层在垂直V型坑侧壁的a方向上的厚度与竖直方向c方向上的厚度比大于0.4。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、具有V型坑的超晶格层、空穴阻挡层、有源区发光层及第二导电类型半导体层，其特征在于：所述空穴阻挡层覆盖V型坑，所述空穴阻挡层在垂直V型坑侧壁的a方向上的厚度与相对V型坑之外的竖直方向c方向上的厚度比大于0.4。
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