[发明专利]一种LED外延结构有效
| 申请号： | 201611242381.X | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653964B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘建明;张洁;朱学亮;陈秉扬;张中英;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/20;H01L33/14 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 | ||
1.一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、具有V型坑的超晶格层、空穴阻挡层、有源区发光层及第二导电类型半导体层，其特征在于：所述空穴阻挡层覆盖V型坑，所述空穴阻挡层在垂直V型坑侧壁的a方向上的厚度与相对V型坑之外的竖直方向c方向上的厚度比大于0.4。
2.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述空穴阻挡层在垂直V型坑侧壁的a方向上的厚度与相对V型坑之外的竖直方向c方向上的厚度比为0.5~0.8。
3.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述空穴阻挡层材质为InxAlyGa(1-x-y)N， 0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。
4.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：有源区发光层包含MQW阱层和垒层，所述空穴阻挡层的禁带宽度不小于MQW中的垒层禁带宽度。
5.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述第一导电类型半导体层包括N-GaN层。
6.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述第一导电类型半导体层包括U-GaN层及N-GaN层。
7.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述第二导电类型半导体层包括P-GaN层。
8.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述第二导电类型半导体层包括电子阻挡层以及P-GaN层，或者包括空穴注入层以及P-GaN层。
9.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述第二导电类型半导体层包括空穴注入层、电子阻挡层以及P-GaN层。
10.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述空穴阻挡层为掺硅半导体层或者未掺杂半导体层。
11.根据权利要求10所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述掺硅半导体层掺硅浓度为1E16atoms/cm3-1E19 atoms /cm3。
12.根据权利要求10所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述掺硅半导体层掺硅浓度为1E16 atoms /cm3-5E17 atoms /cm3。
13.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述空穴阻挡层厚度为1-50nm。
14.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述空穴阻挡层厚度为1-5nm。
15.根据权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述空穴阻挡层的N型掺杂浓度大于或等于MQW中垒层的掺杂浓度。
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