[发明专利]OLED阵列基板、显示装置及其暗点修复方法有效
申请号: | 201611237544.5 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN108258007B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 艾雨;谢学武;孙诗;刘博文;赵程鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种有机发光二极管(OLED)阵列基板、显示装置及其暗点修复方法。该OLED阵列基板包括:电源线、连接部件;设置在像素区域内的像素结构,该像素结构包括驱动晶体管和OLED器件,连接部件具有第一端和第二端,第一端与OLED器件的第一电极电连接或设置为可与第一电极焊接,第二端与第二源漏电极或电源线电连接,或设置为可与驱动晶体管的第二源漏电极或电源线焊接,且连接部件在焊接之前不将第一电极与电源线电连接,本公开通过连接部件将OLED器件的第一电极(阳极或阴极)和电源线电连接,然后将OLED器件的阳极和阴极之间的导电异物烧熔,以对显示装置进行暗点修复,该暗点修复方法操作简单,且不会对周边电路造成不利影响。 | ||
搜索关键词: | 第一电极 连接部件 暗点 电源线电连接 显示装置 修复 焊接 阴极 驱动晶体管 阳极 像素结构 源漏电极 第一端 电源线 基板 有机发光二极管 导电异物 像素区域 阵列基板 周边电路 电连接 烧熔 申请 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光二极管阵列基板,包括:/n衬底基板;/n设置在所述衬底基板上的电源线、连接部件;/n设置在像素区域内的像素结构,所述像素结构包括驱动晶体管和有机发光二极管器件;/n其中,所述驱动晶体管包括栅极、第一源漏电极和第二源漏电极,所述第一源漏电极连接到所述有机发光二极管器件和所述第二源漏电极连接到所述电源线;/n所述有机发光二极管器件包括第一电极和第二电极,所述第一电极和所述驱动晶体管的第一源漏电极电连接;/n所述连接部件具有第一端和第二端,所述第一端与所述第一电极电连接或设置为可与所述第一电极焊接,所述第二端与所述第二源漏电极或所述电源线电连接,或设置为可与所述第二源漏电极或所述电源线焊接,且所述连接部件在所述焊接之前不将所述第一电极与所述电源线电连接,所述连接部件还配置为在其被切割后,使所述电源线和所述第一电极彼此断开。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611237544.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:微发光元件
- 下一篇:显示基板及其制备方法、显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的