[发明专利]OLED阵列基板、显示装置及其暗点修复方法有效
申请号: | 201611237544.5 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN108258007B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 艾雨;谢学武;孙诗;刘博文;赵程鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一电极 连接部件 暗点 电源线电连接 显示装置 修复 焊接 阴极 驱动晶体管 阳极 像素结构 源漏电极 第一端 电源线 基板 有机发光二极管 导电异物 像素区域 阵列基板 周边电路 电连接 烧熔 申请 | ||
1.一种有机发光二极管阵列基板,包括:
衬底基板;
设置在所述衬底基板上的电源线、连接部件;
设置在像素区域内的像素结构,所述像素结构包括驱动晶体管和有机发光二极管器件;
其中,所述驱动晶体管包括栅极、第一源漏电极和第二源漏电极,所述第一源漏电极连接到所述有机发光二极管器件和所述第二源漏电极连接到所述电源线;
所述有机发光二极管器件包括第一电极和第二电极,所述第一电极和所述驱动晶体管的第一源漏电极电连接;
所述连接部件具有第一端和第二端,所述第一端与所述第一电极电连接或设置为可与所述第一电极焊接,所述第二端与所述第二源漏电极或所述电源线电连接,或设置为可与所述第二源漏电极或所述电源线焊接,且所述连接部件在所述焊接之前不将所述第一电极与所述电源线电连接,所述连接部件还配置为在其被切割后,使所述电源线和所述第一电极彼此断开。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述连接部件与所述电源线同层,且所述第一端设置为可与所述第一电极焊接,所述第二端与所述电源线电连接。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述连接部件与所述第一电极同层,且所述第一端设置为与所述第一电极电连接,所述第二端与所述电源线可焊接。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述连接部件与所述第二源漏电极同层,且所述第一端设置为可与所述第一电极焊接,所述第二端与所述第二源漏电极电连接。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述连接部件呈线性结构,在平行于所述衬底基板的方向上,所述连接部件延伸至所述电源线、所述第一电极和所述第二源漏电极中的至少之一外;
在垂直于所述衬底基板的方向上,所述连接部件与所述第一电极有交叠,且与所述电源线和所述第二源漏电极中的至少之一有交叠。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管阵列基板,还包括栅线和数据线,其中,所述像素结构还包括开关晶体管,所述开关晶体管连接到所述栅线和所述数据线,所述驱动晶体管的栅极连接到所述开关晶体管,所述电源线与所述栅线同层,所述电源线与所述栅线不相连接。
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管阵列基板,还包括栅线和数据线,其中,所述像素结构还包括开关晶体管,所述开关晶体管连接到所述栅线和所述数据线,所述驱动晶体管的栅极连接到所述开关晶体管,所述电源线与所述栅线不同层,所述电源线呈面状电源线。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;或者,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述阳极的材料包括透明导电材料,所述阴极的材料包括导电金属材料,所述电源线的材料包括导电金属材料,所述连接部件的材料包括透明导电材料或导电金属材料。
10.一种显示装置,包括权利要求1-9中任一项所述的有机发光二极管阵列基板。
11.一种如权利要求1-9中任一项所述的有机发光二极管阵列基板的暗点修复方法,或者如权利要求10所述的显示装置的暗点修复方法,包括:
电连接所述电源线和所述第一电极;
通过所述电源线对所述第一电极施加电压以使所述第一电极和所述第二电极不再短接;
电性隔绝所述电源线和所述第一电极。
12.根据权利要求11所述的暗点修复方法,其中,对与待修复的所述像素结构对应的所述连接部件进行第一次激光照射以进行焊接,以电连接所述电源线和所述第一电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的