[发明专利]OLED阵列基板、显示装置及其暗点修复方法有效
申请号: | 201611237544.5 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN108258007B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 艾雨;谢学武;孙诗;刘博文;赵程鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一电极 连接部件 暗点 电源线电连接 显示装置 修复 焊接 阴极 驱动晶体管 阳极 像素结构 源漏电极 第一端 电源线 基板 有机发光二极管 导电异物 像素区域 阵列基板 周边电路 电连接 烧熔 申请 | ||
本申请提供了一种有机发光二极管(OLED)阵列基板、显示装置及其暗点修复方法。该OLED阵列基板包括:电源线、连接部件;设置在像素区域内的像素结构,该像素结构包括驱动晶体管和OLED器件,连接部件具有第一端和第二端,第一端与OLED器件的第一电极电连接或设置为可与第一电极焊接,第二端与第二源漏电极或电源线电连接,或设置为可与驱动晶体管的第二源漏电极或电源线焊接,且连接部件在焊接之前不将第一电极与电源线电连接,本公开通过连接部件将OLED器件的第一电极(阳极或阴极)和电源线电连接,然后将OLED器件的阳极和阴极之间的导电异物烧熔,以对显示装置进行暗点修复,该暗点修复方法操作简单,且不会对周边电路造成不利影响。
技术领域
本发明的实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)阵列基板、显示装置及其暗点修复方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器件是主动发光器件,相比于主流的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD),OLED器件具有高对比度、广视角、低功耗、轻薄等优点,OLED器件受到了越来越多的关注。
OLED器件包括阳极、阴极和置于阳极和阴极之间的发光层。当在阳极和阴极之间施加电压时,空穴和电子移动到发光层,空穴和电子在发光层中复合而发光。在OLED显示器件的制备过程中,残留的杂质容易造成阳极和阴极之间局部短路而出现暗点缺陷。在OLED显示器件的使用过程中,暗点的尺寸可能逐渐变大,直到最后整个像素单元变为一个不能被点亮的暗像素,从而造成OLED显示器件的可靠性下降。或者,可能由于像素结构中的TFT(Thin Film Transistor)等部件出现缺陷(例如,阳极与电源线短路)造成OLED显示器件出现亮点缺陷。
针对暗点缺陷,常规的修补方法是用激光将短路区域的杂质清除,但这种方法会损伤周边的显示区域;针对亮点缺陷,常规的修补方法是在阵列基板上做备份线路,或者先切断数据线,再焊接将TFT的靠近OLED的一端连接到固定电位上,使得OLED的阴极和阳极保持等电位,以消除亮点缺陷,但是采用此方法会占据布线空间,进而影响开口率。
发明内容
本发明至少一实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板、显示装置及其暗点修复方法。
本发明至少一实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板,该OLED阵列基板包括:衬底基板;设置在所述衬底基板上的电源线、连接部件;设置在像素区域内的像素结构,所述像素结构包括驱动晶体管和OLED器件;其中,所述驱动晶体管包括栅极、第一源漏电极和第二源漏电极,所述第一源漏电极连接到所述OLED器件和所述第二源漏电极连接到所述电源线;所述OLED器件包括第一电极和第二电极,所述第一电极和所述驱动晶体管的第一源漏电极电连接;所述连接部件具有第一端和第二端,所述第一端与所述第一电极电连接或设置为可与所述第一电极焊接,所述第二端与所述第二源漏电极或所述电源线电连接,或设置为可与所述第二源漏电极或所述电源线焊接,且所述连接部件在所述焊接之前不将所述第一电极与所述电源线电连接。
在本发明实施例提供的OLED阵列基板中,所述连接部件与所述电源线同层,且所述第一端设置为可与所述第一电极焊接,所述第二端与所述电源线电连接。
在本发明实施例提供的OLED阵列基板中,所述连接部件与所述第一电极同层,且所述第一端设置为与所述第一电极电连接,所述第二端与所述电源线可焊接。
在本发明实施例提供的OLED阵列基板中,所述连接部件与所述第二源漏电极同层,且所述第一端设置为可与所述第一电极焊接,所述第二端与所述第二源漏电极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的