[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201611235726.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106935588B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 山田有纪 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11556;H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：堆叠本体，其包含沿着第一方向堆叠且彼此隔开的多个电极膜；多个柱状结构，其在所述第一方向上延伸、刺穿所述堆叠本体且包含半导体层；电荷存储膜，其提供于所述柱状结构中的一者与所述电极膜之间；以及绝缘膜，其分隔安置在所述堆叠本体的上部部分中的所述电极膜中的一者，且不分隔安置在所述堆叠本体的下部部分中的所述电极膜中的另一者。安置在所述绝缘膜的一侧上的所述柱状结构之间的最短距离短于以在所述柱状结构之间插置有所述绝缘膜的方式安置的柱状结构之间的最短距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，其包括：堆叠本体，其包含沿着第一方向堆叠且彼此隔开的多个电极膜；多个柱状结构，其在所述第一方向上延伸、刺穿所述堆叠本体且包含半导体层；电荷存储膜，其提供于所述柱状结构中的一者与所述电极膜之间；以及绝缘膜，其分隔安置在所述堆叠本体的上部部分中的所述电极膜中的一者，且不分隔安置在所述堆叠本体的下部部分中的所述电极膜中的另一者，安置在所述绝缘膜的一侧上的所述柱状结构之间的最短距离短于以在所述柱状结构之间插置有所述绝缘膜的方式安置的所述柱状结构之间的最短距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
