[发明专利]半导体存储器装置

说明书

根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：堆叠本体，其包含沿着第一方向堆叠且彼此隔开的多个电极膜；多个柱状结构，其在所述第一方向上延伸、刺穿所述堆叠本体且包含半导体层；电荷存储膜，其提供于所述柱状结构中的一者与所述电极膜之间；以及绝缘膜，其分隔安置在所述堆叠本体的上部部分中的所述电极膜中的一者，且不分隔安置在所述堆叠本体的下部部分中的所述电极膜中的另一者。安置在所述绝缘膜的一侧上的所述柱状结构之间的最短距离短于以在所述柱状结构之间插置有所述绝缘膜的方式安置的柱状结构之间的最短距离。

相关申请案的交叉参考

本申请案以2015年12月30日申请的美国临时专利申请案62/272,733以及2016年7月1日申请的美国非临时专利申请案15/200,254为基础且主张其优先权益；所述美国临时专利申请案和美国非临时专利申请案的全部内容以引入的方式并入本文中。

技术领域

实施例涉及半导体存储器装置。

背景技术

已提出包含堆叠本体和刺穿此堆叠本体的柱状结构的堆叠型半导体存储器装置，所述堆叠本体包含交替地堆叠的导电膜和绝缘膜。在所述堆叠型半导体存储器装置中，在所述柱状结构与所述导电膜之间的每一交叉部分处提供一存储器单元。在所述堆叠型半导体存储器装置中，需要高速操作。

发明内容

根据一个实施例的一种半导体存储器装置包含堆叠本体、多个柱状结构、电荷存储膜和绝缘膜。所述堆叠本体包含沿着第一方向堆叠且彼此隔开的多个电极膜。所述多个柱状结构在所述第一方向上延伸，刺穿所述堆叠本体，且其包含半导体层。在所述柱状结构中的一者与所述电极膜之间提供电荷存储膜。绝缘膜分隔安置在所述堆叠本体的上部部分中的电极膜中的一者，且不分隔安置在所述堆叠本体的下部部分中的电极膜中的另一者。安置在所述绝缘膜的一侧上的柱状结构之间的最短距离短于以在柱状结构之间插置绝缘膜的方式安置的柱状结构之间的最短距离。

根据所述实施例，可提供能够高速操作的半导体存储器装置。

附图说明

图1是说明根据一实施例的半导体存储器装置的透视图；

图2是说明根据实施例的半导体存储器装置的一部分的截面图；

图3是说明根据实施例的半导体存储器装置的一部分的截面图；

图4是沿着图2中所展示的线E1-E2的示意性截面图；

图5是沿着图2中所展示的线F1-F2的示意性截面图；

图6A到图6B是说明用于制造根据实施例的半导体存储器装置的方法的截面图；

图7A到图7B是说明用于制造根据实施例的半导体存储器装置的方法的截面图；

图8A到图8B是说明用于制造根据实施例的半导体存储器装置的方法的截面图；

图9A到图9B是说明用于制造根据实施例的半导体存储器装置的方法的截面图；

图10A到图10B是说明用于制造根据实施例的半导体存储器装置的方法的截面图；

图11A到图11B是说明用于制造根据实施例的半导体存储器装置的方法的截面图；

图12A到图12B是说明用于制造根据实施例的半导体存储器装置的方法的截面图；

图13A到图13B是说明用于制造根据实施例的半导体存储器装置的方法的截面图；

图14A到图14B是说明用于制造根据实施例的半导体存储器装置的方法的截面图；

图15A到图15B是说明用于制造根据实施例的半导体存储器装置的方法的截面图；