[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

堆叠本体，其包含多个第一电极膜以及提供于所述第一电极膜上方的第二电极膜，所述多个第一电极膜沿着第一方向堆叠且彼此隔开，所述第二电极膜具有第一区以及第二区；

绝缘膜，其在与所述第一方向交叉的第二方向上将所述第二电极膜分隔为所述第一区与所述第二区，且不分隔所述堆叠本体的所述第一电极膜；

多个第一柱状结构，其延伸穿过所述第二电极膜的所述第一区，且包含第一半导体层；

多个第二柱状结构，其延伸穿过所述第二电极膜的所述第二区，且包含第二半导体层；

第一电荷存储膜，其提供于所述第一柱状结构的一者与所述第一电极膜之间；以及

第二电荷存储膜，其提供于所述第二柱状结构的一者与所述第一电极膜之间；其中，

所述第一电极膜具有：在所述绝缘膜的正下方的区域，其中没有柱状结构存在于所述第一电极膜中；

所述第一柱状结构之间的最短距离短于所述第一柱状结构的一者与所述第二柱状结构的一者之间的最短距离。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述绝缘膜在所述第二方向上延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其进一步包括在第三方向上安置于所述堆叠本体的两侧上的绝缘部件，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向交叉。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其进一步包括：

半导体衬底，所述堆叠本体安置于其上；以及

导电部件，其提供于所述绝缘部件中且在所述第一方向上延伸，所述导电部件的下部末端连接到所述半导体衬底。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中

所述多个第一柱状结构沿着在所述第二方向上延伸的多个第一行布置，且所述多个第二柱状结构沿着在所述第二方向上延伸的多个第二行布置。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中

所述多个第一柱状结构沿着所述第二方向在所述多个第一行中的每一者中周期性地布置，且所述多个第二柱状结构沿着所述第二方向在所述多个第二行中的每一者中周期性地布置。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中

所述多个第一柱状结构在所述第二方向上的位置在彼此邻近的所述多个第一行中彼此移位，且所述第二柱状结构在所述第二方向上的位置在彼此邻近的所述多个第二行中彼此移位。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

安置在所述堆叠本体的上部部分中的所述第二电极膜比安置在所述堆叠本体的下部部分中的所述第一电极膜中的一者厚。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第一电荷存储膜以及所述第二电荷存储膜是绝缘的。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第一电荷存储膜以及所述第二电荷存储膜是导电的。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其进一步包括：

第一隧道绝缘膜，其安置在所述第一柱状结构与所述第一电荷存储膜之间；

第二隧道绝缘膜，其安置在所述第二柱状结构与所述第二电荷存储膜之间；

第一阻断绝缘膜，其安置在所述第一电荷存储膜与所述第一电极膜之间；以及

第二阻断绝缘膜，其安置在所述第二电荷存储膜与所述第一电极膜之间。