[发明专利]评价方法以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201611233526.X | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107045995B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 新村康;宍户秀聪;岛藤贵行;新井利浩 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明容易地评价半导体元件的反馈电容。提供一种评价方法，该评价方法为评价半导体元件的反馈电容的评价方法，具备：特性取得阶段，取得与反馈电容相关的第1特性和与反馈电容相关的第2特性；评价阶段，基于第1特性和第2特性评价反馈电容。第1特性可以为与半导体元件的耐压对应的特性，第2特性可以为半导体元件的导通电阻。在评价阶段中，可以基于第1特性和第2特性之比来评价反馈电容。 | ||
| 搜索关键词： | 评价 方法 以及 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种评价方法，其为评价半导体元件的反馈电容的评价方法，其特征在于，具备：特性取得阶段，其取得与所述反馈电容相关的第1特性和与所述反馈电容相关的第2特性；以及评价阶段，其基于所述第1特性和所述第2特性，对所述反馈电容进行评价。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
