[发明专利]评价方法以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明容易地评价半导体元件的反馈电容。提供一种评价方法，该评价方法为评价半导体元件的反馈电容的评价方法，具备：特性取得阶段，取得与反馈电容相关的第1特性和与反馈电容相关的第2特性；评价阶段，基于第1特性和第2特性评价反馈电容。第1特性可以为与半导体元件的耐压对应的特性，第2特性可以为半导体元件的导通电阻。在评价阶段中，可以基于第1特性和第2特性之比来评价反馈电容。

技术领域

本发明涉及评价方法以及半导体装置的制造方法。

背景技术

作为半导体元件的特性之一，已知有反馈电容Crss(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2016-4935号公报

发明内容

技术问题

优选地，半导体元件的反馈电容Crss被预先测定。例如，若在桥式电路的上下臂等中使用的多个半导体元件的反馈电容Crss中产生波动，则开关定时会产生波动，会产生上下臂短路等问题。但是，若要直接测定半导体元件的反馈电容Crss则需要花费时间。

技术方案

在本发明的第1实施方式中，提供评价半导体元件的反馈电容的评价方法。评价方法可以具备特性取得阶段。在特性取得阶段中可以取得与反馈电容相关的第1特性。在特性取得阶段中可以取得与反馈电容相关的第2特性。评价方法可以具备评价阶段。在评价阶段中，可以基于第1特性以及第2特性来评价反馈电容。第1特性可以与反馈电容正相关，第2特性可以与反馈电容负相关。

第1特性可以是与半导体元件的耐压对应的特性。第2特性可以是半导体元件的导通电阻。第1特性可以是稳定状态下的雪崩电压。第1特性可以是瞬时状态下的雪崩电压。第1特性可以是根据将半导体元件设为不同状态而测定出的多个雪崩电压算出的。第1特性可以是根据通过施加不同漏电流而测定出的瞬时状态下的第1雪崩电压和瞬时状态下的第2雪崩电压算出的。第1特性可以是根据稳定状态下的雪崩电压和瞬时状态下的雪崩电压算出的。第1特性可以是根据第1雪崩电压、第2雪崩电压和第3雪崩电压算出的，第1雪崩电压是通过施加第1漏电流而测定的瞬时状态下的电压，第2雪崩电压是通过施加与第1漏电流不同的第2漏电流而测定出的瞬时状态下的电压，第3雪崩电压是通过施加与第1漏电流和第2漏电流中的一个相同的第3漏电流而测定出的稳定状态下的电压。第1特性可以是根据半导体元件的雪崩电压算出的，第2特性可以是根据由与第1特性不同的状态下的半导体元件测定出的雪崩电压而算出的。在评价阶段中，可以基于第1特性以及第2特性之比来评价反馈电容。

在特性取得阶段中，可以对于多个半导体元件，取得第1特性和第2特性。在评价阶段中，可以生成表示每个半导体元件的第1特性与第2特性之比的分布的分布信息。

评价方法还可以包括筛选阶段。在筛选阶段中，可以检测分布信息所包括的正态分布，并基于检测出的正态分布来筛选异常的半导体元件。在筛选阶段中，可以基于正态分布的标准偏差来筛选异常的半导体元件。

分布信息可以是直方图。在筛选阶段中，可以在直方图中含有多个峰的情况下，检测含有更高频次的峰值的峰作为所述正态分布。在特性取得阶段中，可以对于形成在晶片上的状态的多个半导体元件中的每一个，取得第1特性和第2特性。半导体元件可以具有超结结构。

在本发明的第2实施方式中，提供半导体装置的制造方法。制造方法可以具备特性取得阶段。在特性取得阶段中，可以对于多个半导体元件中的每一个，取得与半导体元件的反馈电容正相关的第1特性。在特性取得阶段中，可以对于多个半导体元件中的每一个，取得与反馈电容负相关的第2特性。制造方法可以具备评价阶段。在评价阶段中，可以基于第1特性以及第2特性来评价反馈电容。制造方法可以具备筛选阶段。在筛选阶段中，可以基于评价阶段中评价结果来筛选多个半导体元件。制造方法可以具备组装阶段。在组装阶段中，可以使用在筛选阶段中筛选出的多个半导体元件来组装半导体装置。