[发明专利]评价方法以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种评价方法，其为评价半导体元件的反馈电容的评价方法，其特征在于，具备：

特性取得阶段，其取得与所述反馈电容相关的第1特性和与所述反馈电容相关的第2特性；以及

评价阶段，其基于所述第1特性和所述第2特性，对所述反馈电容进行评价。

2.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，所述第1特性是与所述半导体元件的耐压对应的特性，所述第2特性是所述半导体元件的导通电阻。

3.根据权利要求2所述的评价方法，其特征在于，所述第1特性是稳定状态下的雪崩电压。

4.根据权利要求2所述的评价方法，其特征在于，所述第1特性是瞬时状态下的雪崩电压。

5.根据权利要求2所述的评价方法，其特征在于，所述第1特性是根据由不同状态下的所述半导体元件测定出的多个雪崩电压算出的。

6.根据权利要求5所述的评价方法，其特征在于，所述第1特性是根据通过施加不同漏电流而测定出的瞬时状态下的第1雪崩电压和瞬时状态下的第2雪崩电压而算出的。

7.根据权利要求5所述的评价方法，其特征在于，所述第1特性是根据稳定状态下的雪崩电压和瞬时状态下的雪崩电压算出的。

8.根据权利要求5所述的评价方法，其特征在于，所述第1特性是根据第1雪崩电压、第2雪崩电压和第3雪崩电压算出的，

所述第1雪崩电压是通过施加第1漏电流而测定的瞬时状态下的电压，

所述第2雪崩电压是通过施加与所述第1漏电流不同的第2漏电流而测定出的瞬时状态下的电压，

所述第3雪崩电压是通过施加与所述第1漏电流和所述第2漏电流中的一个相同的第3漏电流而测定出的稳定状态下的电压。

9.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，所述第1特性是根据所述半导体元件的雪崩电压算出的，

所述第2特性是根据由与所述第1特性不同的状态下的所述半导体元件测定出的雪崩电压而算出的。

10.根据权利要求1～9中任意一项所述的评价方法，其特征在于，在所述评价阶段中，基于所述第1特性与所述第2特性之比来评价所述反馈电容。

11.根据权利要求1～9中任意一项所述的评价方法，其特征在于，在所述特性取得阶段中，对于多个所述半导体元件，取得所述第1特性和所述第2特性，

在所述评价阶段中，生成分布信息，所述分布信息表示每个所述半导体元件的所述第1特性与所述第2特性之比的分布。

12.根据权利要求11所述的评价方法，其特征在于，还包括筛选阶段，其检测所述分布信息中包含的正态分布，基于检测出的所述正态分布来筛选异常的所述半导体元件。

13.根据权利要求12所述的评价方法，其特征在于，在所述筛选阶段中，基于所述正态分布的标准偏差来筛选异常的所述半导体元件。

14.根据权利要求13所述的评价方法，其特征在于，所述分布信息为直方图，

在所述筛选阶段中，在所述直方图中含有多个峰的情况下，检测含有更高频次的峰值的峰作为所述正态分布。

15.根据权利要求1～9中任意一项所述的评价方法，其特征在于，在所述特性取得阶段中，对于形成在晶片上的状态的多个所述半导体元件中的每一个，取得所述第1特性和所述第2特性。

16.根据权利要求1～9中任意一项所述的评价方法，其特征在于，所述半导体元件具有超结结构。

17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

特性取得阶段，对于多个半导体元件中的每一个，取得与半导体元件的反馈电容相关的第1特性和与所述反馈电容相关的第2特性；

评价阶段，基于所述第1特性和所述第2特性来评价所述反馈电容；

筛选阶段，基于所述评价阶段中的评价结果来筛选所述多个半导体元件；以及

组装阶段，使用在所述筛选阶段中筛选出的多个半导体元件来组装所述半导体装置。