[发明专利]一种全钝化太阳能电池结构有效
| 申请号： | 201611232997.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106611804B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 陈文浩;黄石明;孙海平;刘仁中 | 申请（专利权）人： | 合肥海润光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 张海英,林波 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全钝化太阳能电池结构，包括电池层和在所述电池层的侧部形成的肖特基接触金属层，所述电池层包括N型硅基体，所述N型硅基体的正面设置有正面结构层，所述N型硅基体的背面设置有背面结构层，其中，所述正面结构层包括设置于所述N型硅基体的正面的P型硅扩散层，所述P型硅扩散层的正面设置有钝化减反膜，所述钝化减反膜的正面设置有正面电极；所述背面结构层包括设置于所述N型硅基体的背面的SiO2隧穿结，所述SiO2隧穿结的背面设置有N+硅层，所述N+硅层的背面设置有背面电极；所述正面结构的靠近边缘处的四周开设有边缘隔离槽；该全钝化太阳能电池结构，能够实现全部表面的钝化，极大地提升太阳能电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】：
一种全钝化太阳能电池结构，其特征在于，包括电池层和在所述电池层的侧部形成的肖特基接触金属层，所述电池层包括N型硅基体，所述N型硅基体的正面设置有正面结构层，所述N型硅基体的背面设置有背面结构层，其中，所述正面结构层包括设置于所述N型硅基体的正面的P型硅扩散层，所述P型硅扩散层的正面设置有钝化减反膜，所述钝化减反膜的正面设置有正面电极；所述背面结构层包括设置于所述N型硅基体的背面的SiO2隧穿结，所述SiO2隧穿结的背面设置有N+硅层，所述N+硅层的背面设置有背面电极；所述正面结构的靠近边缘处的四周开设有边缘隔离槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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