[发明专利]一种全钝化太阳能电池结构

权利要求书

1.一种全钝化太阳能电池结构，其特征在于，包括电池层和在所述电池层的侧部形成的肖特基接触金属层，所述电池层包括N型硅基体，所述N型硅基体的正面设置有正面结构层，所述N型硅基体的背面设置有背面结构层，其中，所述正面结构层包括设置于所述N型硅基体的正面的P型硅扩散层，所述P型硅扩散层的正面设置有钝化减反膜，所述钝化减反膜的正面设置有正面电极；所述背面结构层包括设置于所述N型硅基体的背面的SiO₂隧穿结，所述SiO₂隧穿结的背面设置有N⁺硅层，所述N⁺硅层的背面设置有背面电极；所述正面结构的靠近边缘处的四周开设有边缘隔离槽。

2.根据权利要求1所述的全钝化太阳能电池结构，其特征在于，所述正面电极采用丝网印刷、电镀或喷墨打印制得。

3.根据权利要求1所述的全钝化太阳能电池结构，其特征在于，所述钝化减反膜为Al₂O₃薄膜、SiO₂薄膜、Al₂O₃和SiN_x叠层膜中的一种制得；或

所述钝化减反膜为SiO₂隧穿结钝化结构或氢化非晶硅钝化结构。

4.根据权利要求1所述的全钝化太阳能电池结构，其特征在于，所述P型硅扩散层采用气相热扩散、旋涂硼源热扩散、激光掺杂或离子注入方式制得，或

所述P型硅扩散层采用晶硅非晶硅异质结结构；

所述P型硅扩散层的厚度为(0，10]μm。

5.根据权利要求1所述的全钝化太阳能电池结构，其特征在于，所述N型硅基体采用直拉法、区融法或铸造法制得，其电阻率为(0，10]Ω·cm，厚度为(0，500]μm。

6.根据权利要求1所述的全钝化太阳能电池结构，其特征在于，所述SiO₂隧穿结采用湿氧化、干氧化、化学气相沉积或物理气相沉积制得，所述SiO₂隧穿结的厚度为(0，5]nm。

7.根据权利要求1所述的全钝化太阳能电池结构，其特征在于，所述N⁺硅层为多晶硅、单晶硅、微晶硅或者非晶硅，所述N⁺硅层采用化学气相沉积或液相外延制得。

8.根据权利要求1所述的全钝化太阳能电池结构，其特征在于，所述背面电极为全电极或栅线结构。

9.根据权利要求1所述的全钝化太阳能电池结构，其特征在于，所述背面电极采用透明导电金属氧化物膜，所述透明导电金属氧化物膜为ITO膜或TCO膜。

10.根据权利要求1所述的全钝化太阳能电池结构，其特征在于，所述肖特基接触金属层为Au、Ag、Pt、Al中的一种，或所述肖特基接触金属层为合金；

所述肖特基接触金属层的厚度为(0，100]nm；

所述肖特基接触金属层采用热蒸镀或喷墨打印方式在所述电池层的边缘生成纳米金属层，再通过烧结制得。