[发明专利]一种全钝化太阳能电池结构

说明书

技术领域

本发明涉及光伏太阳能电池技术领域，尤其涉及一种全钝化太阳能电池结构。

背景技术

随着光伏领域的不断发展，对于太阳能电池的效率提出了越来越高的要求。众所周知，提升太阳能电池的表面钝化能力是提高太阳能电池效率的最重要手段之一，通过钝化可以显著提高太阳能电池的电流收集能力，降低少数载流子被复合的几率，从而提高太阳能电池的发电能力。

目前，主流的高效太阳能电池技术均是在钝化方式上进行改进和提升，然而，现有的太阳能电池的结构在钝化时，都存在一定的缺憾和不足，无法对太阳能电池的全部表面进行完全钝化，尤其是太阳能电池的边缘和太阳能电池的背表面的钝化，从而导致太阳能电池效率的提升受到了限制。

发明内容

本发明的目的在于提出一种全钝化太阳能电池结构，能够实现全部表面的钝化，极大地提升太阳能电池效率。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种全钝化太阳能电池结构，包括电池层和在所述电池层的侧部形成的肖特基接触金属层，所述电池层包括N型硅基体，所述N型硅基体的正面设置有正面结构层，所述N型硅基体的背面设置有背面结构层，其中，所述正面结构层包括设置于所述N型硅基体的正面的P型硅扩散层，所述P型硅扩散层的正面设置有钝化减反膜，所述钝化减反膜的正面设置有正面电极；所述背面结构层包括设置于所述N型硅基体的背面的SiO₂隧穿结，所述SiO₂隧穿结的背面设置有N⁺硅层，所述N⁺硅层的背面设置有背面电极；所述正面结构的靠近边缘处的四周开设有边缘隔离槽。

其中，所述正面电极采用丝网印刷、电镀或喷墨打印制得。

其中，所述钝化减反膜为Al₂O₃薄膜、SiO₂薄膜、Al₂O₃和SiN_x叠层膜中的一种制得；或

所述钝化减反膜为SiO₂隧穿结钝化结构或氢化非晶硅钝化结构。

其中，所述P型硅扩散层采用气相热扩散、旋涂硼源热扩散、激光掺杂或离子注入方式制得，或

所述P型硅扩散层采用晶硅非晶硅异质结结构；

所述P型硅扩散层的厚度为(0，10]μm。

其中，所述N型硅基体采用直拉法、区融法或铸造法制得，其电阻率为(0，10]Ω·cm，厚度为(0，500]μm。

其中，所述SiO₂隧穿结采用湿氧化、干氧化、化学气相沉积或物理气相沉积制得，所述SiO₂隧穿结的厚度为(0，5]nm。

其中，所述N⁺硅层为多晶硅、单晶硅、微晶硅或者非晶硅，所述N⁺硅层采用化学气相沉积或液相外延制得。

其中，所述背面电极为全电极或栅线结构。

其中，所述背面电极采用透明导电金属氧化物膜，所述透明导电金属氧化物膜为ITO膜或TCO膜。

其中，所述肖特基接触金属层为Au、Ag、Pt、Al中的一种，或所述肖特基接触金属层为合金。

所述肖特基接触金属层的厚度为(0，100]nm；所述肖特基接触金属层采用热蒸镀或喷墨打印方式在所述电池层的边缘生成纳米金属层，再通过烧结制得。

本发明的有益效果为：

本发明的全钝化太阳能电池结构，通过钝化减反膜、SiO₂隧穿结、N⁺硅层以及肖特基接触金属层形成正面、背面、侧面的钝化，从而实现全部表面的钝化，极大地提升太阳能电池效率。

附图说明

图1是本发明的全钝化太阳能电池结构的结构示意图；

图2是图1中的全钝化太阳能电池结构的实现方式示意图。

图中：1-正面电极；2-钝化减反膜；3-P型硅扩散层；4-N型硅基体；5-SiO₂隧穿结；6-N⁺硅层；7-背面电极；8-肖特基接触金属层；9-边缘隔离槽。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。