[发明专利]一种去除AZ光刻胶的去胶液在审

专利信息
申请号: 201611206000.2 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN106773562A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 杜冰;顾群艳;梁豹;鲍杰;赵建龙;张兵;朱坤;向文胜 申请(专利权)人: 昆山艾森半导体材料有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 代理人: 汤东凤
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于半导体加工技术领域,涉及一种去除AZ光刻胶的去胶液,其配方包括10‑50wt%有机酯,10‑50wt%有机醇,补足余量的极性有机溶剂;其中有机酯为一元酸酯、二元酸酯或内酯中的一种,有机醇为C2~3醇类,极性有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N‑二甲基甲酰胺、N,N‑二甲基乙酰胺、N‑甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3‑二甲基‑2‑咪唑啉酮中的一种。本发明去胶液去胶速度快,使用温度相对较低,不伤硅、氧化硅、金属、钝化等各种底材,水溶性,容易清洗。
搜索关键词: 一种 去除 az 光刻 去胶液
【主权项】:
一种去除AZ光刻胶的去胶液,其特征在于配方包括:10‑50wt%有机酯,10‑50wt%有机醇,补足余量的极性有机溶剂;其中有机酯为一元酸酯、二元酸酯或内酯中的一种,有机醇为C2~3醇类,极性有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N‑二甲基甲酰胺、N,N‑二甲基乙酰胺、N‑甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3‑二甲基‑2‑咪唑啉酮中的一种。
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