[发明专利]一种去除AZ光刻胶的去胶液

说明书

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种使用效果更好的去除AZ光刻胶的去胶液。

背景技术

光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。AZ光刻胶是一种正性光刻胶，所以生成的图形具有良好的分辨率，但目前市场上大部分AZ光刻胶去胶液存在腐蚀金属、去胶速度慢、有胶残留或伤钝化层的问题，不能满足市场需求。

本发明就是为了提供一种新的去除AZ光刻胶的去胶液来解决以上问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种使用效果更好的去除AZ光刻胶的去胶液及其使用方法。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种去除AZ光刻胶的去胶液，其配方包括：10-50wt％有机酯，10-50wt％有机醇，补足余量的极性有机溶剂；其中有机酯为一元酸酯、二元酸酯或内酯中的一种，有机醇为C2～3醇类，极性有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的一种。

具体的，所述一元酸酯为乙酸乙酯、乳酸乙酯或甲酸乙酯中的一种。

具体的，所述二元酸酯为二乙酸乙二酯、乙二酸二甲酯、乙二酸二乙酯中的一种。

具体的，所述内酯为乙二酸乙二酯或丁内酯。

具体的，去胶液还包括0-10wt％阻蚀剂。

进一步的，所述阻蚀剂为苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯并咪唑中的一种。

具体的，去胶液还包括0-10wt％有机醇胺。

进一步的，所述有机醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺中的一种。

采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：

本发明去胶液去胶速度快，使用温度相对较低，不伤硅、氧化硅、金属、钝化等各种底材，水溶性，容易清洗。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。

一种去除AZ光刻胶的去胶液，其配方包括：10-50wt％有机酯，10-50wt％有机醇，补足余量的极性有机溶剂；其中有机酯为一元酸酯、二元酸酯或内酯中的一种，有机醇为C2～3醇类，极性有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的一种。

实施例1～10：

按照表1的配方配制去胶液。

表1：

因为配方中不包含酸碱成分，所以不伤硅、氧化硅、金属、钝化等各种底材，极性溶剂对水的相溶性好，容易清洗。

用实施例1～10以及现有市面上买到的AZ光刻胶去胶液在表2温度条件下对同样涂在10mm×10mm表面上的AZ光刻胶进行去胶速度实验，得到如下结果。

表2：

从表2所示的测试结果可以看出，新的去胶液在去胶温度相对较低的情况下去胶速度明显高于对照例。因此相比于原技术，本方案去胶效果更佳。

以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。