[发明专利]半导体结构以及半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构以及半导体结构的形成方法，形成方法包括：在核心层露出的基底上以及核心层顶部和侧壁上形成侧墙层；刻蚀去除位于核心层顶部上以及部分基底上的侧墙层，形成覆盖核心层侧壁的侧墙，侧墙包括位于基底上的第一侧墙以及位于第一侧墙顶部上的第二侧墙，其中，在垂直于基底表面且沿基底指向核心层的方向上，所述第二侧墙在平行于所述基底表面方向上的宽度尺寸逐渐减小；去除核心层；在侧墙露出的基底上形成覆盖侧墙侧壁的牺牲层；去除高于第一侧墙顶部的牺牲层；去除第二侧墙；去除剩余牺牲层；以第一侧墙为掩膜刻蚀基底，在基底内形成目标图形。本发明避免了双重图形化工艺过程中的奇偶效应问题，从而提高了形成的目标图形的质量。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有若干分立的核心层；在所述核心层露出的基底上以及所述核心层顶部和侧壁上形成侧墙层；刻蚀去除位于所述核心层顶部上以及部分基底上的侧墙层，形成覆盖所述核心层侧壁的侧墙，所述侧墙包括位于所述基底上的第一侧墙以及位于所述第一侧墙顶部上的第二侧墙，其中，在垂直于所述基底表面且沿所述基底指向核心层的方向上，所述第二侧墙在平行于所述基底表面方向上的宽度尺寸逐渐减小；去除所述核心层；在去除所述核心层之后，在所述侧墙露出的基底上形成覆盖所述侧墙侧壁的牺牲层，且所述牺牲层的材料与所述侧墙材料不同；去除高于所述第一侧墙顶部的牺牲层；去除所述第二侧墙；去除剩余牺牲层；以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述基底，在所述基底内形成目标图形。