[发明专利]半导体结构以及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有若干分立的核心层；

在所述核心层露出的基底上以及所述核心层顶部和侧壁上形成侧墙层；

刻蚀去除位于所述核心层顶部上以及部分基底上的侧墙层，形成覆盖所述核心层侧壁的侧墙，所述侧墙包括位于所述基底上的第一侧墙以及位于所述第一侧墙顶部上的第二侧墙，其中，在垂直于所述基底表面且沿所述基底指向核心层的方向上，所述第二侧墙在平行于所述基底表面方向上的宽度尺寸逐渐减小；

去除所述核心层；

在去除所述核心层之后，在所述侧墙露出的基底上形成覆盖所述侧墙侧壁的牺牲层，且所述牺牲层的材料与所述侧墙材料不同；所述牺牲层顶部与所述第二侧墙顶部齐平；或者，所述牺牲层顶部高于所述第二侧墙顶部；

形成所述牺牲层后，对所述第二侧墙进行等离子体处理；所述牺牲层用于保护所述第一侧墙免受等离子轰击；

对所述第二侧墙进行等离子体处理后，去除高于所述第一侧墙顶部的牺牲层；

去除所述第二侧墙；

去除剩余牺牲层；

以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述基底，在所述基底内形成目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙远离所述核心层的侧壁表面相对于所述基底表面垂直。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述侧墙之前，位于所述基底上的侧墙层的厚度为100埃～300埃。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺，形成所述侧墙层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的材料为氮化硅。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用H等离子体或者He等离子体，对所述第二侧墙进行等离子体处理。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述第二侧墙之前，去除高于所述第一侧墙顶部的牺牲层，且去除剩余牺牲层。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用H等离子体进行所述等离子体处理，所述等离子体处理的工艺参数包括：等离子体处理采用的气体包括H₂，等离子体处理功率为50W～300W，等离子体处理压强为20mT～50mT，等离子体处理时长为30S～300S。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述等离子体处理之后，刻蚀去除所述第二侧墙的刻蚀工艺对所述第二侧墙与第一侧墙的刻蚀选择比大于或等于5。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液，刻蚀去除所述第二侧墙。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除高于所述第一侧墙顶部的牺牲层、去除所述第二侧墙以及去除剩余牺牲层的工艺步骤包括：

采用第一刻蚀工艺，去除所述第二侧墙，且去除高于所述第一侧墙顶部的牺牲层，且所述第一刻蚀工艺对所述第二侧墙的刻蚀速率大于或等于对所述牺牲层的刻蚀速率；

采用第二刻蚀工艺，去除剩余牺牲层，且所述第二刻蚀工艺对所述牺牲层的刻蚀速率大于对所述第一侧墙的刻蚀速率。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为干法刻蚀工艺，工艺参数包括：刻蚀功率为200W～1000W，刻蚀压强为2mT～50mT，刻蚀时长为10S～300S，刻蚀气体包括碳氟氢气体。