[发明专利]一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法有效
| 申请号： | 201611175554.0 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106757346B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李伟东;丁建旭;顾庆天;王圣来;许心光;余波 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及了一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法。利用KDP不溶于正己烷和氯仿的特性，以及正己烷密度小于水的密度，水的密度小于氯仿的密度这种物理性质，将残存在晶体表面的水溶液清除掉，保证生长台阶形貌的完整性、准确性，安全有效的保存晶体。有机溶剂在使用前，尽量加热到与生长溶液相似的温度，避免温度差过大造成晶体的开裂。本发明能够完全的避免在去除晶体表面所附着的水溶液时所带来的破坏，不会造成晶体表面残留溶质的再结晶以及表面结构的破坏。可以减少实验测试时寻找完整干净表面带来的工作难度，保证生长台阶形貌的完整性和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体表面 形貌 水溶液生长 正己烷 氯仿 表面结构 干净表面 工作难度 生长溶液 实验测试 物理性质 有机溶剂 晶体的 温度差 再结晶 生长 不溶 附着 溶质 加热 去除 残留 保证 保存 安全 | ||
【主权项】：
1.一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，包括步骤如下：将水溶液生长晶体从溶液中取出，浸入到第一有机溶液中进行涮洗，去除水溶液生长晶体表面的水溶液；浸入第一有机溶液进行涮洗时，第一有机溶液的温度与生长晶体的水溶液温度之差≤5℃；所述的第一有机溶液的密度小于水的密度，水溶液生长晶体不溶解于第一有机溶液；所述的第一有机溶液为正己烷、庚烷；去除水溶液生长晶体表面的水溶液后保存于第二有机溶液中；所述的第二有机溶液的密度大于水的密度，水溶液生长晶体不溶解于第二有机溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611175554.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
