[发明专利]一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法有效
| 申请号： | 201611175554.0 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106757346B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李伟东;丁建旭;顾庆天;王圣来;许心光;余波 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体表面 形貌 水溶液生长 正己烷 氯仿 表面结构 干净表面 工作难度 生长溶液 实验测试 物理性质 有机溶剂 晶体的 温度差 再结晶 生长 不溶 附着 溶质 加热 去除 残留 保证 保存 安全 | ||
【权利要求书】：
1.一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，包括步骤如下：
将水溶液生长晶体从溶液中取出，浸入到第一有机溶液中进行涮洗，去除水溶液生长晶体表面的水溶液；浸入第一有机溶液进行涮洗时，第一有机溶液的温度与生长晶体的水溶液温度之差≤5℃；所述的第一有机溶液的密度小于水的密度，水溶液生长晶体不溶解于第一有机溶液；所述的第一有机溶液为正己烷、庚烷；
去除水溶液生长晶体表面的水溶液后保存于第二有机溶液中；所述的第二有机溶液的密度大于水的密度，水溶液生长晶体不溶解于第二有机溶液。
2.根据权利要求1所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，其特征在于，晶体在浸入第一有机溶液进行涮洗时，同时用第一有机溶液喷射冲洗。
3.根据权利要求1所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，其特征在于，所述的水溶液生长晶体为KDP晶体、ADP晶体或DAST晶体。
4.根据权利要求1所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，其特征在于，所述的第二有机溶液为氯仿或四氯化碳。
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