[发明专利]一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法有效
申请号: | 201611168287.4 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106783657B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 刘国敬;张文斌;衣忠波;王仲康;孙莉莉;黄佳鑫 | 申请(专利权)人: | 北京中电科电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 100176 北京市经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法,应用于控制器,晶圆测量机构包括测量仪固定架;与测量仪固定架连接的第一测量仪和第二测量仪,第一测量仪的第一测头位于承片台中心位置处,第二测量仪的第二测头位于承片台外环上,该方法包括:在承片台上空载时,接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值,并确定一参考校零值;当承片台上安装的晶圆处于磨削状态时,根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及参考校零值,获取晶圆的磨削厚度值。本发明在晶圆减薄加工的过程中可有效控制晶圆的厚度,提高了晶圆磨削加工的精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 测量 机构 厚度 方法 | ||
【主权项】:
1.一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法,应用于控制器,其特征在于,所述晶圆测量机构包括测量仪固定架;与所述测量仪固定架连接的第一测量仪和第二测量仪,所述第一测量仪的第一测头位于承片台中心位置处,所述第二测量仪的第二测头位于承片台外环上,所述方法包括:在承片台上空载时,接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值,并确定一参考校零值,其中,所述参考校零值为所述承片台中心位置的厚度值与所述承片台外环的厚度值之差;当承片台上安装的晶圆处于磨削状态时,根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与所述晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及所述参考校零值,获取所述晶圆的磨削厚度值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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