[发明专利]一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法

权利要求书

1.一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，应用于控制器，其特征在于，所述晶圆测量机构包括测量仪固定架；与所述测量仪固定架连接的第一测量仪和第二测量仪，所述第一测量仪的第一测头位于承片台中心位置处，所述第二测量仪的第二测头位于承片台外环上，所述方法包括：

在承片台上空载时，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值，其中，所述参考校零值为所述承片台中心位置的厚度值与所述承片台外环的厚度值之差；

当承片台上安装的晶圆处于磨削状态时，根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与所述晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及所述参考校零值，获取所述晶圆的磨削厚度值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取所述晶圆的磨削厚度值之后，所述方法还包括：

在预设时长内检测所述晶圆的磨削厚度值是否发生变化；

当在预设时长内所述晶圆的磨削厚度值未发生变化时，保存获取的所述晶圆的磨削厚度值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值之前，所述方法还包括：

对第一测量仪的第一测头和第二测量仪的第二测头进行校准。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对第一测量仪的第一测头和第二测量仪的第二测头进行校准的步骤包括：

获取第一测头未吸附标准测量块时的第一测量值以及第二测头未吸附标准测量块时的第二测量值；

获取第一测头吸附标准测量块时的第三测量值以及第二测头吸附标准测量块时的第四测量值；

根据所述第一测量值和所述第三测量值对第一测头进行校准；

根据所述第二测量值和所述第四测量值对第二测头进行校准。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一测量值和所述第三测量值对第一测头进行校准的步骤包括：

计算所述第三测量值与所述第一测量值之差，获取第一差值；

将所述第一差值与所述标准测量块的厚度值进行比较；

当所述第一差值与所述标准测量块的厚度值之差小于预设值时，校准完成；

当所述第一差值与所述标准测量块的厚度值之差大于或者等于预设值时，由第一测头的放大器继续对第一测头进行校准。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二测量值和所述第四测量值对第二测头进行校准的步骤包括：

计算所述第四测量值与所述第二测量值之差，获取第二差值；

将所述第二差值与所述标准测量块的厚度值进行比较；

当所述第二差值与所述标准测量块的厚度值之差小于预设值时，校准完成；

当所述第二差值与所述标准测量块的厚度值之差大于或者等于预设值时，由第二测头的放大器继续对第二测头进行校准。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一测量仪包括与第一测头连接的第一处理器；所述第二测量仪包括与第二测头连接的第二处理器；

在对第一测量仪的第一测头和第二测量仪的第二测头进行校准之后，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值之前，所述方法还包括：

向所述第一处理器发送第一指令，使得所述第一处理器内的第一接收元件根据所述第一指令控制第一测头运动，与承片台中心位置接触；

向所述第二处理器发送第二指令，使得所述第二处理器内的第二接收元件根据所述第二指令控制第二测头运动，与承片台外环接触。