[发明专利]一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法

说明书

本发明提供了一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，应用于控制器，晶圆测量机构包括测量仪固定架；与测量仪固定架连接的第一测量仪和第二测量仪，第一测量仪的第一测头位于承片台中心位置处，第二测量仪的第二测头位于承片台外环上，该方法包括：在承片台上空载时，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值；当承片台上安装的晶圆处于磨削状态时，根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及参考校零值，获取晶圆的磨削厚度值。本发明在晶圆减薄加工的过程中可有效控制晶圆的厚度，提高了晶圆磨削加工的精度。

技术领域

本发明涉及测量技术领域，尤其涉及一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法。

背景技术

在晶圆减薄加工过程中，晶圆的实时厚度对晶圆的生成质量有着至关重要的影响，是反映晶圆加工质量的重要指标，实时检测晶圆厚度可以对晶圆磨削过程中的各项工艺参数进行实时调整，保证最终磨削厚度以及控制磨削流程，从而使晶圆在减薄加工过程中始终保持高效优质状态。

发明内容

本发明实施例提供一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，可以在晶圆减薄加工过程中有效控制晶圆最终厚度，提高晶圆磨削加工的精度。

本发明实施例提供一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，应用于控制器，所述晶圆测量机构包括测量仪固定架；与所述测量仪固定架连接的第一测量仪和第二测量仪，所述第一测量仪的第一测头位于承片台中心位置处，所述第二测量仪的第二测头位于承片台外环上，所述方法包括：

在承片台上空载时，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值；

当承片台上安装的晶圆处于磨削状态时，根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与所述晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及所述参考校零值，获取所述晶圆的磨削厚度值。

其中，在获取所述晶圆的磨削厚度值之后，所述方法还包括：

在预设时长内检测所述晶圆的磨削厚度值是否发生变化；

当在预设时长内所述晶圆的磨削厚度值未发生变化时，保存获取的所述晶圆的磨削厚度值。

其中，在接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值之前，所述方法还包括：

对第一测量仪的第一测头和第二测量仪的第二测头进行校准。

其中，所述对第一测量仪的第一测头和第二测量仪的第二测头进行校准的步骤包括：

获取第一测头未吸附标准测量块时的第一测量值以及第二测头未吸附标准测量块时的第二测量值；

获取第一测头吸附标准测量块时的第三测量值以及第二测头吸附标准测量块时的第四测量值；

根据所述第一测量值和所述第三测量值对第一测头进行校准；

根据所述第二测量值和所述第四测量值对第二测头进行校准。

其中，所述根据所述第一测量值和所述第三测量值对第一测头进行校准的步骤包括：

计算所述第三测量值与所述第一测量值之差，获取第一差值；

将所述第一差值与所述标准测量块的厚度值进行比较；

当所述第一差值与所述标准测量块的厚度值之差小于预设值时，校准完成；

当所述第一差值与所述标准测量块的厚度值之差大于或者等于预设值时，由第一测头的放大器继续对第一测头进行校准。

其中，所述根据所述第二测量值和所述第四测量值对第二测头进行校准的步骤包括：