[发明专利]发光二极管封装件有效
申请号: | 201611114030.0 | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN106910812B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 金相昱 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;崔卿虎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本申请提供了一种发光二极管(LED)封装件,包括:封装体;封装体上的LED芯片;第一波长转换层,其包含第一波长转换材料,并且包括覆盖LED芯片的上表面的一部分的上表面部分和覆盖LED芯片的侧表面的侧向部分;以及第二波长转换层,其包含不同于第一波长转换材料的第二波长转换材料,并且覆盖第一波长转换层和LED芯片的上表面的剩余部分。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管封装件,包括:封装体;安装在所述封装体上的发光二极管芯片,所述发光二极管芯片包括发光结构和衬底,所述衬底位于所述发光结构上并具有与所述发光结构的尺寸相同的尺寸;第一波长转换层,其包含第一波长转换材料,并且包括覆盖所述发光二极管芯片的衬底的上表面的一部分的上表面部分和覆盖所述发光二极管芯片的侧表面的侧向部分,所述第一波长转换层的侧向部分具有从所述发光二极管芯片的上部边缘向外延伸至所述封装体的一部分的凹形倾斜表面;以及第二波长转换层,其包含不同于所述第一波长转换材料的第二波长转换材料,并且覆盖所述第一波长转换层和所述发光二极管芯片的衬底的上表面的剩余部分。
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