[发明专利]发光二极管封装件

权利要求书

1.一种发光二极管封装件，包括：

封装体；

安装在所述封装体上的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括发光结构和衬底，所述衬底位于所述发光结构上并具有与所述发光结构的尺寸相同的尺寸；

第一波长转换层，其包含第一波长转换材料，并且包括覆盖所述发光二极管芯片的衬底的上表面的一部分的上表面部分和覆盖所述发光二极管芯片的侧表面的侧向部分,所述第一波长转换层的侧向部分具有从所述发光二极管芯片的上部边缘向外延伸至所述封装体的一部分的凹形倾斜表面；以及

第二波长转换层，其包含不同于所述第一波长转换材料的第二波长转换材料，并且覆盖所述第一波长转换层和所述发光二极管芯片的衬底的上表面的剩余部分。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述第一波长转换层的上表面部分仅覆盖所述发光二极管芯片的多个上部顶点中的在对角线方向上彼此相对的两个上部顶点。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述第一波长转换层的上表面部分仅覆盖所述发光二极管芯片的多个上部边缘中的彼此相对的两个上部边缘。

4.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述第一波长转换层的上表面部分具有不同的厚度，所述不同的厚度的最大厚度在10μm至40μm的范围内。

5.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述第一波长转换层的上表面部分的面积在所述发光二极管芯片的衬底的上表面的面积的85％至95％的范围内。

6.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述第一波长转换层还包括透明树脂，并且所述第一波长转换层的侧向部分的边缘部分包括仅包含所述透明树脂的区域。

7.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述发光二极管芯片以倒装芯片的形式安装于所述封装体之上，并且所述第一波长转换层填充所述发光二极管芯片的下表面和所述封装体之间的空间。

8.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，还包括设置于所述封装体之上的反射结构，

其中，所述反射结构倾斜以在向上的方向上反射从所述第二波长转换层发射的光，并且

其中，所述第一波长转换层的侧向部分具有凹形倾斜表面，其从所述发光二极管芯片的上部边缘向外延伸至所述封装体的一部分而不接触所述反射结构。

9.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述发光二极管芯片构造为发射蓝光，并且

其中，所述第一波长转换材料包含红色磷光体，并且所述第二波长转换材料包含绿色磷光体。

10.一种发光二极管封装件，包括：

封装体；

安装在所述封装体上的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括发光结构和衬底，所述衬底位于所述发光结构上并具有与所述发光结构的尺寸相同的尺寸；

第一波长转换层，其包含第一波长转换材料，至少覆盖所述发光二极管芯片的侧表面，并且具有凹形倾斜表面，所述凹形倾斜表面从所述发光二极管芯片的侧表面的上部边缘向外延伸至所述封装体的一部分以覆盖所述发光二极管芯片的侧表面；以及

第二波长转换层，其包含不同于所述第一波长转换材料的第二波长转换材料，并且覆盖所述第一波长转换层，

其中，所述第二波长转换层与所述发光二极管芯片的衬底的上表面的至少一部分接触。

11.根据权利要求10所述的发光二极管封装件，

其中，所述第一波长转换层不覆盖所述发光二极管芯片的衬底的上表面，并且

其中，所述第二波长转换层通过接触所述发光二极管芯片的衬底的上表面的整个部分来覆盖所述的发光二极管芯片的衬底的上表面。