[发明专利]用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法有效
| 申请号： | 201611102664.4 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106817092B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 袁刚;S·严;M·鲍威尔 | 申请（专利权）人： | 硅实验室公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子电路 偏移 修正 装置 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，其包含：第一场效应晶体管即第一FET，所述第一FET耦合在电路中，所述第一FET具有主体；第二FET，所述第二FET耦合在所述电路中，所述第二FET具有主体，其中所述电路由于失配而具有偏移；以及偏移修正电路，所述偏移修正电路耦合到所述第一FET的所述主体并耦合到所述第二FET的所述主体，以便为所述第一FET的所述主体提供第一偏移修正信号并为所述第二FET的所述主体提供第二偏移修正信号。
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