[发明专利]用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法

说明书

本申请用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。

技术领域

本公开总体涉及改善电子电路系统的性能，并且更具体地涉及用于电子电路中偏移修正或修整的装置以及相关方法。

背景技术

数字电路和技术随着时间的推移激增并且随着半导体工艺、电路和系统技术等的进步变得普遍存在。然而，实际上物理世界和现象包括模拟量。感测、检测以及处理模拟量必须使用各种模拟电路。

包括此类模拟电路系统的电路、子系统和系统的性能部分取决于该模拟电路系统的性能。在实践中，现实世界实施方式，如集成电路(IC)的电子电路，包括包含在IC中的模拟电路系统，偏离理想行为，对其性能具有相应的影响。各种性能测量存在并用于衡量模拟电路系统的性能。示例包括偏移、失真、增益、噪声指数、功耗等。

本部分中的描述和任何相应的附图被包括作为背景信息资料。本部分中的资料不应被认为承认此类材料构成对本专利申请的现有技术。

发明内容

各种装置和相关方法被预期用于电子电路系统中的偏移修整(offsettrimming)。根据示例性实施例，一种装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应晶体管(FET)。该装置也包括具有主体并耦合在该电路中的第二FET。电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路向第一FET的主体提供第一修正信号并为第二FET的主体提供第二修正信号。

根据另一示例性实施例，一种电子装置包括差分放大器，该差分放大器包括第一和第二晶体管，每个晶体管具有各自的主体。第一晶体管的电学特性不同于第二晶体管的电学特性。该电子装置也包括偏移修正电路，该偏移修正电路包括电流源以及耦合到该第一电流源的第三和第四晶体管。该偏移修正电路进一步包括一组开关和一组电阻器的网络，该组开关和该组电阻器耦合到第三和第四晶体管以便分别为第一晶体管的主体和第二晶体管的主体提供第一和第二偏移修正信号。

根据另一说明性实施例，公开了一种修正包括第一和第二场效应晶体管(FET)的电路中的偏移的方法，其中该电路由于失配而具有偏移。该方法包括生成第一偏移修正信号，并且生成第二偏移修正信号。该方法还包括将第一偏移修正信号应用到第一FET的主体，并且将第二偏移修正信号应用到第二FET的主体。

附图说明

附图仅说明示例性实施例并且因此不应该被认为是限制本申请或权利要求的范围。本领域普通技术人员认识到，所公开的概念赋予其自身其他相同效果的实施例。在附图中，用在不止一幅附图中的相同的数字指示符表示相同的、相似的或等效的功能、组件或框。

图1根据示例性实施例说明用于偏移修正的电路布置。

图2根据示例性实施例描述应用偏移修正电压到晶体管的堆(bulk)或主体。

图3根据另一示例性实施例示出用于偏移修正的电路布置。

图4根据另一示例性实施例描述用于偏移修正的电路布置。

图5根据另一示例性实施例说明用于偏移修正的电路布置。

图6根据另一示例性实施例描述用于偏移修正的电路布置。

具体实施方式